半导体电路装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体电路装置，它在第一导电类型的半导体衬底（１）内集成地构造了一个电路元件，该电路元件具有至少一个控制端（Ｇ１，Ｇ２）和一个第一（Ｄ）及第二电极端（Ｓ），其中，所述的第一电极端（Ｄ）由一个嵌入在所述半导体衬底内的、且与所述第一导电类型相反的第二导电类型的连接槽和一个位于所述连接槽内且为第二导电类型的、但比所述连接槽的掺杂更高的下部槽区构成。本发明专利技术的其特征在于：所述构造在半导体衬底的主表面内的、被分配给所述第一电极端（Ｄ）的第二导电型的下部槽区在所述至少一个控制端的第一导电型的槽区之前终止。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体电路装置，它在第一导电类型的半导体衬底内集成地构造了一个电路元件，该电路元件具有至少一个控制端和一个第一及第二电极端，其中，所述的第一电极端由一个嵌入在所述半导体衬底内的、且与所述第一导电类型相反的第二导电类型的连接槽和一个位于所述连接槽内且为第二导电类型的、但比所述连接槽的掺杂更高的下部槽区构成。本专利技术另外还涉及一种用于制造该半导体电路装置的方法。作为这种半导体电路装置的例子，已知有具备多个控制端的、尤其是具有至少两个门极端-也即一个高频门极和至少一个控制门极-的MOS四极管和MOS五极管，它们借助VLSI工艺步骤(VLSI＝超大规模集成电路)以单个构件或以高集成的形式被制造在半导体衬底上。尤其当在汽车领域应用这种MOS四极管时，要求适用的供电电压为12V或更高。现代的CMOS工艺制造方法通常只被设计用于制造供电电压≤5V的半导体电路，并不能毫无问题地适用于具有更高供电电压范围的半导体电路。其主要的技术原因还在于太小的门极氧化物厚度，以及在用现代标准CMOS工艺制造的半导体电路中具有太低的漏极-槽-击穿电压，因此它不能毫无问题地适用于制造具有12V本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造半导体电路装置的方法，所述的半导体电路装置在第一导电类型的半导体衬底（１）内集成地构造了一个电路元件，该电路元件具有至少一个控制端（Ｇ１，Ｇ２）和一个第一（Ｄ）及第二电极端（Ｓ），其中，所述的第一电极端（Ｄ）由一个嵌入在所述半导体衬底内的、且与所述第一导电类型相反的第二导电类型的连接槽和一个位于所述连接槽内且为第二导电类型的、但比所述连接槽的掺杂更高的下部槽区构成，其特征在于：所述构造在半导体衬底的主表面内的、被分配给所述第一电极端（Ｄ）的第二导电型的下部槽区 在所述至少一个控制端的第一导电型的槽区之前终止。

【技术特征摘要】
DE 1999-11-30 19957532.01.用于制造半导体电路装置的方法，所述的半导体电路装置在第一导电类型的半导体衬底(1)内集成地构造了一个电路元件，该电路元件具有至少一个控制端(G1，G2)和一个第一(D)及第二电极端(S)，其中，所述的第一电极端(D)由一个嵌入在所述半导体衬底内的、且与所述第一导电类型相反的第二导电类型的连接槽和一个位于所述连接槽内且为第二导电类型的、但比所述连接槽的掺杂更高的下部槽区构成，其特征在于所述构造在半导体衬底的主表面内的、被分配给所述第一电极端(D)的第二导电型的下部槽区在所述至少一个控制端的第一导电型的槽区之前终止。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述半导体电路装置被构造为具有至少两个控制端的分立构件。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：C赫朱姆，KH米勒，U克鲁贝恩，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]