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本发明涉及一种半导体电路装置，它在第一导电类型的半导体衬底（１）内集成地构造了一个电路元件，该电路元件具有至少一个控制端（Ｇ１，Ｇ２）和一个第一（Ｄ）及第二电极端（Ｓ），其中，所述的第一电极端（Ｄ）由一个嵌入在所述半导体衬底内的、且与所述第...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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