【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种金属氧化物半导体管，尤其是用于集成电路的高压P型金属氧化物半导体管。三、
技术实现思路
技术问题本专利技术提供一种能够提高击穿电压和工作电流，尤其是击穿电压在100V以上、工作电流在10mA以上且与标准外延金属氧化物半导体工艺相兼容的横向缓冲P型金属氧化物半导体管。技术方案一种横向缓冲P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底1，在P型衬底1上设有N型外延层2，在N型外延层2上设有P型漂移区3、源4、N型外延接触孔5和场氧化层6，在P型漂移区3上设有漏7和另一场氧化层8，在场氧化层6、N型外延接触孔5、源4、N型外延层2、另一场氧化层8和漏7上设有栅氧化层9，在栅氧化层9上设有多晶栅10，在栅氧化层9和多晶栅10上设有氧化层11，在N型外延接触孔5及源4、多晶栅10和漏7上分别设有铝引线12、13和14，在P型漂移区3和漏7之间设有P型缓冲层15。有益效果(1)本专利技术引入了P型缓冲层，P型缓冲层可以减小漏区的电场曲率、降低漏极电流聚集，从而减少漏极碰撞电离和二次击穿现象，提高击穿电压；P型缓冲层还可以降低导通电阻，从而增大工作电流。本专利技术在击穿电压100V以上、工作电流10mA以上的条件下所产生的“提高击穿电压，增大工作电流”优势则尤为明显。(2)本专利技术采用了在N型外延接触孔及源与N型外延层之间设有N型阱的技术措施，它可以有效地防止高压P型金属氧化物半导体管的穿通，从而进一步提高了击穿电压。(3)由于本专利技术的P型缓冲层和N型阱可以基于标准外延低压金属氧化物半导体工艺线上实现，故本专利技术具有制造成本低，可产业化等优点。(4)N型外延...
【技术保护点】
一种横向缓冲Ｐ型金属氧化物半导体管，包括：Ｐ型衬底（１），在Ｐ型衬底（１）上设有Ｎ型外延层（２），在Ｎ型外延层（２）上设有Ｐ型漂移区（３）、源（４）、Ｎ型外延接触孔（５）和场氧化层（６），在Ｐ型漂移区（３）上设有漏（７）和另一场氧化层（８），在场氧化层（６）、Ｎ型外延接触孔（５）、源（４）、Ｎ型外延层（２）、另一场氧化层（８）和漏（７）上设有栅氧化层（９），在栅氧化层（９）上设有多晶栅（１０），在栅氧化层（９）和多晶栅（１０）上设有氧化层（１１），在Ｎ型外延接触孔（５）及源（４）、多晶栅（１０）和漏（７）上分别设有铝引线（１２、１３和１４），其特征在于在Ｐ型漂移区（３）和漏（７）之间设有Ｐ型缓冲层（１５）。
【技术特征摘要】
1.一种横向缓冲P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)上设有P型漂移区(3)、源(4)、N型外延接触孔(5)和场氧化层(6)，在P型漂移区(3)上设有漏(7)和另一场氧化层(8)，在场氧化层(6)、N型外延接触孔(5)、源(4)、N型外延层(2)、另一场氧化层(8)和漏(7)上设有栅氧化层(9)，在栅氧化层(9)...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，陆生礼，易扬波，孙智林，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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