非对称高电压金属氧化物半导体元件制造技术

一种非对称高电压金属氧化物半导体元件，包括：一底材，具有一绝缘层和于绝缘层上的第一导体型半导体层。数个浅沟渠隔离形成于半导体层内以限定一主动区域。一场氧化区域形成于主动区域的半导体层上。一第二导体型的漂移区域形成于场氧化区域下的半导体层内。一基极结构形成于半导体层上以覆盖部份场氧化区域，至少包括一基极介电层及一导体层。一第一发射极区域及第一集电极区域相对形成于基极结构侧边的半导体层内并具有第二导体型及一第一掺杂浓度，场氧化区域隔离基极结构与第一集电极区域。第二发射极区域及第二集电极区域具有第二导体型及一第二掺杂浓度，并分别形成于第一发射极区域及第一集电极区域内，第二掺杂浓度较第一掺杂浓度高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种非对称高电压金属氧化物半导体元件(HV MOS)，特别是一种有关于非对称高电压双掺杂(double-doped diffusion)金属氧化物半导体元件(HV DMOS)。(2)
技术介绍
当金属氧化物半导体元件做得越来越密集，通道长度也同时不断地缩小，而使得操作速度不断加快。然而，当施加到金属氧化物半导体元件的电压不变，而通道长度缩短时，电场的强度就会增加。这样，当电场强度增强时，使得通道内电子藉由较高的电场加速所获得的能量上升，电子的能量将很高，而电崩溃(electrical breakdown)就很可能发生。电崩溃通常发生于当集电极电压太大，使得逆向偏压(reverse-biased)的集电极/底材接合的电场于接合附近产生许多的电子-空穴(electron-hole)对。加速的电子-空穴对与底材晶格离子化撞击，产生非常大的底材电流，而过大的底材电流对高电压元件的操作有许多破坏性的影响，例如，造成接合崩溃(junction breakdown)及横向双载子接合晶体管(BJT)急速压降(snapback voltage down)。通常金属氧化物半导体元件可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电压金属氧化物半导体元件，其特征在于，包括：一底材，该底材具有一绝缘层于该底材上和一半导体层于该绝缘层上，其中该半导体层具有第一导体型；数个浅沟渠隔离形成于该半导体层内，以限定一主动区域；一场氧化区域形成于该主动区域的该半 导体层上；一漂移区域形成于该场氧化区域下的该半导体层内，其中该漂移区域具有一第二导体型；一基极结构形成于该主动区域的该半导体层上，以覆盖一部份该场氧化区域；一第一发射极区域及一第一集电极区域彼此相对形成于该基极结构侧边的该主动区 域的该半导体层内，并具有该第二导体型及一第一掺杂浓度，且该场氧化区域用以隔离该基极结构与该第一集...

【技术特征摘要】
US 2001-11-13 09/986,9301.一种高电压金属氧化物半导体元件，其特征在于，包括一底材，该底材具有一绝缘层于该底材上和一半导体层于该绝缘层上，其中该半导体层具有第一导体型；数个浅沟渠隔离形成于该半导体层内，以限定一主动区域；一场氧化区域形成于该主动区域的该半导体层上；一漂移区域形成于该场氧化区域下的该半导体层内，其中该漂移区域具有一第二导体型；一基极结构形成于该主动区域的该半导体层上，以覆盖一部份该场氧化区域；一第一发射极区域及一第一集电极区域彼此相对形成于该基极结构侧边的该主动区域的该半导体层内，并具有该第二导体型及一第一掺杂浓度，且该场氧化区域用以隔离该基极结构与该第一集电极区域；及一第二发射极区域及一第二集电极区域分别形成于该第一发射极区域及该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘昌淼，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]