在基体或坯料元件特别是由半导体材料制成的基体或坯料元件中切制出至少一个簿层的方法技术

本发明专利技术涉及一种从一基体或块体切制出至少一个薄层而形成一种用于电子、光电或光学元件或传感器的方法，该方法包括步骤如下：在所述元件中形成一个脆化区域，该脆化区域的厚度对应于准备被切掉的层体的厚度；以及将一个能量脉冲注入到所述元件中，所述能量脉冲的持续时间不超过声波穿过这个用来吸收所述脉冲能量的厚度区域的时间，所述脉冲能量在选择上可使所述的脆化区域产生分离。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
及
技术介绍
本专利技术涉及一种由一基体或块体特别是由半导体材料制成的基体或块体切制出至少一个簿层以便制作电子元件、光电元件或光学元件或传感器的方法。在微电子、光电子学、或传感器领域的许多场合中，将一层基体传送到另一层基体上所涉及的工艺操作是构造出多种材料结构或特定元件的关键操作。用于传送的层可以包括也可以不包括已经做好或者部分完成状态的元件。在这些应用中有一例涉及在绝缘基体上制硅(SOI)。通常所用绝缘体为具有多孔结构的SiO2，其上无法沉积高质量的单晶硅。用来制取这类结构的一类技术是分子附着技术，即“晶片结合”。这些技术都是本领域普通技术人员的公知技术，特别是这些技术由Q.Y.Tong和U.Gosele在Johnson Wiley&Son公司出版的Wiley IntersciencePublication上发表的“Semiconductor wafer bonding Science andTechnology”中进行了描述。正如该文章所述，采用该技术将两个基体(通常为硅基体)组合起来，其中一个旨在绝缘层(“源”基体)上形成硅，其被转移到另一个基体上从而形成新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从一基体或块体切制出至少一个簿层而形成一种用作电子、光电或光学元件或传感器的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：在所述元件中形成一个弱化区域，该弱化区域的厚度对应于准备被切掉的层体的厚度；以及将一个能量脉冲注入到所述元件中，所述 能量脉冲的持续时间小于或者与声波穿过这个用来吸收所述脉冲能量的厚度区域的时间属于一个量级，所述脉冲能量在选择上可使所述的弱化区域产生分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2000-4-14 00/055491.一种从一基体或块体切制出至少一个簿层而形成一种用作电子、光电或光学元件或传感器的方法，其特征在于该方法包括以下步骤在所述元件中形成一个弱化区域，该弱化区域的厚度对应于准备被切掉的层体的厚度；以及将一个能量脉冲注入到所述元件中，所述能量脉冲的持续时间小于或者与声波穿过这个用来吸收所述脉冲能量的厚度区域的时间属于一个量级，所述脉冲能量在选择上可使所述的弱化区域产生分离。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于弱化区域是一个多孔区。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于弱化区域由沉积形成。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于弱化区域由植入形成。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述的植入是磷和/或砷和/或质子和/或稀有气体的植入。6.如前述任一权利要求所述的方法，其特征在于形成元件的基体或块体由半导体材料和/或LiNbO3和/或LiTaO3或基于这些材料的复合材料构成。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于形成元件的基体或块体由硅和/或SiC和/或GaAs和/或InP和/或GaN和/或SiGe和/或Ge和/或LiNbO3和/或LiTaO3或基于这些材料的复合材料构成。8.如前述任一权利要求所述的方法，其特征在于在弱化步骤之后，所述的元件结合到另一支撑体上，能量脉冲就注入到所形成的块体中。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于其中的结合是分子附着型结合或者是通过粘接剂进行的结合。10.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于由所述结合形成的块体包括一SiO2、Si3N4层或者这两种材料的组合。11.如前述任一权利要求所述的方法，其特征在于能量脉冲通过激光束进行沉积。12.如前述权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其特征在于能量脉冲通过电子束进行沉积。13.如前述任...

【专利技术属性】
技术研发人员：M罗什，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]