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本发明涉及一种从一基体或块体切制出至少一个薄层而形成一种用于电子、光电或光学元件或传感器的方法，该方法包括步骤如下：在所述元件中形成一个脆化区域，该脆化区域的厚度对应于准备被切掉的层体的厚度；以及将一个能量脉冲注入到所述元件中，所述能量脉冲...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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