【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制备衬底的方法，特别是应用在光学、电子学或光电子学领域中。更确切的说，本专利技术涉及制备其中有源材料部件转移(transfer)至支持基板(support)的衬底的方法。本专利技术的目的是既降低衬底的单位成本，又可在支持基板和有源材料部件之间获得良好的键合。为实现上述的目的，根据本专利技术，通过主要应用于光学、电子学或光电子学领域中的衬底的制备方法，包括将第一材料的有源部件键合到包括第二材料的支持基板的一个表面的操作，其特征在于----进一步包括在键合操作前，有一淀积操作，将一非晶材料淀积到由第二材料组成的支持基板的表面上并用来接收由第一材料组成的部件，或者将非晶材料淀积到由第一材料组成的有源部件上并用来和支持基板键合，以及其中----第二材料比第一材料的耐腐蚀性(noble)差。概念“耐腐蚀性差(less noble)”在这篇文件中解释为----较低的结晶特性的材料；在这种意义上，例如，非晶材料比多晶材料的耐腐蚀性(noble)差，多晶材料比单晶材料的耐腐蚀性差；或----一种通过简单和/或快速的方法获得的材料；例如，根据这种评断标准，单晶硅...
【技术保护点】
一种制备衬底的方法，特别是用在光学、电子学或光电子学领域中，包括将第一材料的有源部件（１０，１６）键合到含有第二材料的支持基板（２）的一个表面上的操作，其特征在于：进一步包括一淀积操作，将一非晶材料（６）淀积到由第二材料组成的支持基板（ ２）的表面上并用来接收由第一材料组成的部件，或者将非晶材料（６）淀积到由第一材料组成的有源部件上并用来和支持基板（２）键合，以及其中，第二材料比第一材料的耐腐蚀性差。
【技术特征摘要】
FR 2000-6-16 00/07,7551.一种制备衬底的方法，特别是用在光学、电子学或光电子学领域中，包括将第一材料的有源部件(10，16)键合到含有第二材料的支持基板(2)的一个表面上的操作，其特征在于进一步包括一淀积操作，将一非晶材料(6)淀积到由第二材料组成的支持基板(2)的表面上并用来接收由第一材料组成的部件，或者将非晶材料(6)淀积到由第一材料组成的有源部件上并用来和支持基板(2)键合，以及其中，第二材料比第一材料的耐腐蚀性差。2.一种制备衬底的方法，特别是用在光学、电子学或光电子学领域中，包括将第一材料的有源部件(10，16)键合到含有第二材料的支持基板(2)的一个表面上的操作，其特征在于有源部件(10，16)或支持基板(2)至少其中一个用来键合的表面上含有的多晶材料，以及进一步包括，在键合前，在含有多晶材料的单表面或多面上形成一非晶材料层(6)的步骤。3.根据权利要求2的方法，其特征在于通过淀积工艺形成非晶材料层(6)。4.根据权利要求2的方法，其特征在于通过无定形工艺形成非晶材料层(6)。5.根据前述任何一个权利要求的方法，其特征在于非晶材料(6)是非晶硅。6.根据前述任何一个权利要求的方法，其特征在于进一步包括，在键合操作前将淀积在支持基板(2)上的非晶材料(6)抛光过程。7.根据权利要求6的方法，其特征在于该抛光过程将非晶材料(6)去除200到5000的厚度，优选为1000。8.根据前述任何一个权利要求的方法，其特征在于进一步包括，对通过非晶材料(6)将支持基板(2)和有源部件(10，16)连接在一起的结合处进行热处理过程。9.根据权利要求8的方法，其特征在于加热处理是在足够温度下进行的，以使至少部分的非晶材料(6)结晶。10.根据前述任何一个权利要求的方法，其特征在于包括在键合操作以后，将第一材料的层(10)与相同材料组成的部分(12)分离。11.根据权利要求10的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：A奥贝通赫维，
申请(专利权)人：SOI硅绝缘体技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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