用于制造含微型元件的薄层的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用一基底（１）来制造含微型元件（６）的薄层（５）的方法。所述方法为了每个层体（５）而具体包括如下的步骤：ａ）依照基底（１）表面上形成的多个注入区，将至少一种气态物质局部地注入到所述基底（１）中，通过适当地选择注入深度和所述注入区的几何形状，防止基底（１）的所述表面在步骤ｂ）过程中发生退化；ｂ）在由注入深度限定的基底（１）表面层（５）中加工微型元件（６）；以及ｃ）将基底（１）分离成两个部分，其中一个部分包括表面层（５），该表面层中含有所述微型元件（６），另一部分则包括基底（１）的剩余部分。本发明专利技术被用于制造要被集成到支撑体上的微型元件，该支撑体不同于用于制出微型元件的基底。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及从位于基底上的薄层制造微型元件的方法、以及对该薄层/基底组合体进行加工的方法。
技术介绍
按照惯例，术语“薄层”是指其厚度通常在几十埃到几个微米之间的层体。本专利技术所涉及的基底可以是初始基底或中间基底，这些基底可以是“可拆分的”—即可与所述薄层分离开。在现有技术中，希望能制造出可被集成到一些支撑体上的微型元件，此处的支撑体并非是那些用来制造该微型元件的支撑体，目前，这种需求在不断地增长。可被作为此类器件的实例而被提及的是塑料材料或柔性基底。本文中的“微型元件”是指任何在整体上或部分上经过处理的电子器件、光电器件、或任何传感器(例如任何化学、机械、热学、生物学或生物化学传感器)。可采用层转移法将这些微型元件集成到柔性支撑体上。现有技术中，存在着很多其它的应用实例，在这些应用中，层转移工艺适于将微型元件或层体集成到支撑体上，而该支撑体却不适于这些微型元件或层体在先前的制造过程。按照相同的思路，当需要将某个带有或不带有微型元件的薄层与其初始基底分离开时(例如通过分开或去除初始基底的方法)，上述的那些层转移工艺同样是非常有用的。此外，基于同样的思路，将薄层进行翻面、且将其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造方法，其借助于一个基底（１）来制造含微型元件（６）的薄层（５），所述方法的特征在于其为了每个层体（５）而具体包括如下的步骤：ａ）依照基底（１）表面上形成的多个注入区，将至少一种气态物质局部地注入到所述基底（１）中，通过适当地 选择注入深度和所述注入区的几何形状，防止基底（１）的这一表面在步骤ｂ）过程中发生退化；ｂ）在由注入深度限定的基底（１）的表面层（５）中加工微型元件（６）；以及ｃ）将基底（１）分离成两个部分，其中一个部分包括所述表面层（５）， 该表面层中含有所述微型元件（６），另一部分则包括基底（１）的剩余部分。

【技术特征摘要】
FR 2001-10-11 01/131051.一种制造方法，其借助于一个基底(1)来制造含微型元件(6)的薄层(5)，所述方法的特征在于其为了每个层体(5)而具体包括如下的步骤a)依照基底(1)表面上形成的多个注入区，将至少一种气态物质局部地注入到所述基底(1)中，通过适当地选择注入深度和所述注入区的几何形状，防止基底(1)的这一表面在步骤b)过程中发生退化；b)在由注入深度限定的基底(1)的表面层(5)中加工微型元件(6)；以及c)将基底(1)分离成两个部分，其中一个部分包括所述表面层(5)，该表面层中含有所述微型元件(6)，另一部分则包括基底(1)的剩余部分。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于所述注入区是由一个置于基底(1)表面上的掩模(2)限定的。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于所述气态物质包括氢离子、或至少一种稀有气体的离子、或这些离子的混合物。4.根据上述权利要求之一所述的制造方法，其特征在于注入区总的表面积占据了基底(1)表面积的约1/3到5/6。5.根据上述权利要求之一所述的制造方法，其特征在于注入区的线尺寸约为所述表面层(5)厚度的0.1倍到50倍。6.根据上述权利要求之一所述的制造方法，其特征在于所述方法包括至少一个辅助步骤，其位于步骤a)之前和/或步骤a)与b)之间，该步骤用于引入至少一种气态物质，该至少一次的辅助引入操作是在基底(1)表面上不存在任何掩模的条件下执行的。7.根据上述权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：贝尔纳阿斯帕尔，克里斯特勒拉加埃，布律诺吉瑟朗，
申请(专利权)人：原子能委员会，SOI泰克绝缘体硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]