自扫描型发光元件阵列芯片及制造方法、光写入头、光打印机技术

本发明专利技术提供一种自扫描型发光元件阵列，使用Ｓｉ作为构造材料并在Ｓｉ衬底上形成。在Ｓｉ衬底３０上形成栅失配缓和层３２。通过外延成长，在栅失配缓和层３２上依次层叠ｎ型ＡｌＧａＡｓ层１４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ层１６、ｎ型ＡｌＧａＡｓ层１８、ｐ型ＡｌＧａＡｓ层２０。在ＡｌＧａＡｓ层２０上设置有阳极电极２２，在ＡｌＧａＡｓ层１８上设置有栅电极２４，在ＧａＡｓ衬底的背面设置有阴极电极２６。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用发光闸流晶体管的自扫描型发光元件阵列芯片，特别是涉及形成在Si衬底上的自扫描型发光元件阵列芯片，还涉及使用这种自扫描型发光元件阵列芯片的光写入头和光打印机。
技术介绍
在排列有发光元件的LED(发光二极管)阵列上，设置有用于与驱动电路进行引线焊接、被称为焊接用焊盘的晶体点阵。该焊盘为了进行线焊接，需要比发光元件大的面积。精密度越高则平均单位长度上的发光元件的数量就越多，所以焊盘的数量也就增加。因此，存在以下问题即使是高精密度，但如果焊盘的面积相同，也会导致焊盘在LED阵列芯片上所占的面积增大，且精密度越高则LED阵列芯片的面积越大。作为解决上述问题的发光元件阵列，本专利技术的专利技术人关注作为发光元件阵列构成要素的、具有pnpn构造的3端子发光闸流晶体管，并已经提出了能实现发光点自扫描的自扫描型发光元件阵列的方案(特开平1-238962号公报、特开平2-14584号公报、特开平2-92650号公报、特开平2-92651号公报)；公开了作为光打印机用的光写入头，其安装简便、能使发光元件的间距细微化、能制作小型的自扫描型发光元件阵列等内容。图1是表示发光闸流晶体管基本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自扫描型发光元件阵列芯片，具有：Ｓｉ衬底；和在所述Ｓｉ衬底上设置的由ｐｎｐｎ层构成的自扫描型发光元件阵列。

【技术特征摘要】
JP 2001-12-13 379676/2001;JP 2002-11-26 341628/2001.一种自扫描型发光元件阵列芯片，具有Si衬底；和在所述Si衬底上设置的由pnpn层构成的自扫描型发光元件阵列。2.一种自扫描型发光元件阵列芯片，具有Si衬底；形成在所述Si衬底上的栅失配缓和层；和在所述栅失配缓和层上形成的由pnpn层构成的自扫描型发光元件阵列。3.一种自扫描型发光元件阵列芯片，具有Si衬底；形成在所述Si衬底的一部分上的栅失配缓和层；在所述栅失配缓和层上形成的由pnpn层构成的自扫描型发光元件阵列；和形成在所述Si衬底上的驱动电路。4.如权利要求1、2或3所述的自扫描型发光元件阵列芯片，其特征在于芯片的宽度在大于或等于0.03mm且小于或等于0.3mm的范围内。5.如权利要求4所述的自扫描型发光元件阵列芯片，其特征在于芯片的宽度在大于或等于0.05mm且小于或等于0.2mm的范围内。6.如权利要求4所述的自扫描型发光元件阵列芯片，其特征在于芯片的长度在大于或等于2mm且小于或等于100mm的范围内。7.如权利要求6所述的自扫描型发光元件阵列芯片，其特征在于芯片的长度在大于或等于5mm且小于或等于20mm的范围内。8.如权利要求6所述的自扫描型发光元件阵列芯片，其特征在于芯片的高度比芯片的宽度小。9.如权利要求1、2或3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野诚治，
申请(专利权)人：日本板硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]