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本发明提供一种自扫描型发光元件阵列，使用Ｓｉ作为构造材料并在Ｓｉ衬底上形成。在Ｓｉ衬底３０上形成栅失配缓和层３２。通过外延成长，在栅失配缓和层３２上依次层叠ｎ型ＡｌＧａＡｓ层１４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ层１６、ｎ型ＡｌＧａＡｓ层１８、ｐ型ＡｌＧａ...
该专利属于日本板硝子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本板硝子株式会社授权不得商用。

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