氮化物基发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术揭露一种氮化物基的发光器件，其在Ｎ型覆盖层和Ｐ型覆盖层之间含有发光层。所述的发光器件包括：反射从发光层发出的光的反射层，和在反射层和Ｐ型覆盖层之间形成的至少一层金属层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化物基(nitride-based)发光器件及其制造方法，更具体地涉及具有用于增加量子效率的欧姆接触结构(Ohmic contact structure)的。
技术介绍
为了采用氮化物基化合物半导体，例如氮化镓(GaN)半导体实现发光器件如发光二极管或激光二极管，在半导体和电极之间的欧姆接触结构非常重要。氮化镓基发光器件形成在绝缘蓝宝石(Al2O3)基材上。氮化镓基发光器件分成顶发射发光二极管(Top-Emitting Light EmittingDiodes，TLEDs)和倒装片发光二极管(Flip-Chip Light Emitting Diodes，FCLEDs)。顶发射发光二极管允许光通过与P型覆盖层(clad layer)的欧姆电极层发射，并提供P型覆盖层的低电导率以允许通过具有透明性和低电阻率的欧姆电极层的平滑电流注入。顶发射发光二极管一般采用在P型覆盖层上顺序成层的镍(Ni)层和金(Au)层的结构。本领域已知镍层形成半透明的欧姆接触层，该接触层在氧气(O2)气氛中退火以具有约10-3-10-4Ωcm2的相对接触电阻率。当在500-600℃下在氧气气氛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物基发光器件，其在Ｎ型覆盖层和Ｐ型覆盖层之间含有发光层，所述的发光器件包括：　反射从发光层发出的光的反射层；和在反射层和Ｐ型覆盖层之间形成的至少一层金属层。

【技术特征摘要】
KR 2003-8-25 58841/031.一种氮化物基发光器件，其在N型覆盖层和P型覆盖层之间含有发光层，所述的发光器件包括反射从发光层发出的光的反射层；和在反射层和P型覆盖层之间形成的至少一层金属层。2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述的金属层包括选自锌、铟和锡组成的第一金属组中的任何一种金属。3.如权利要求2所述的发光器件，其中所述的金属层是向选自第一金属组的任何一种金属中，加入选自镍、钴、铜、钯、铂、钌、铑、铱、钽、铼、钨和镧系金属组成的第二金属组中的任何一种金属的组合。4.如权利要求3所述的发光器件，其中所述的第二金属组与第一金属组的加入比是0.1-51原子百分比。5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述的反射层由银形成。6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述的反射层由铑形成。7.如权利要求1所述的发光器件，其中所述的金属层包括在P型覆盖层上形成的第一金属层；和在第一金属层和反射层之间形成的第二金属层，第一金属层由选自镍、钴、铜、钯、铂、钌、铑、铱、钽、铼、钨和镧系金属组成的第二金属组中的任何一种金属形成，和第二金属层由选自锌、铟和锡组成的第一金属组中的任何一种金属形成。8.如权利要求7所述的发光器件，其中所述的第二金属层由向选自第一金属组中的任何一种金属中加入选自第二金属组中的任何一种金属而形成。9.如权利要求1所述的发光器件，其中所述的金属层和反射层的厚度为0.1nm-10μm。10.如权利要求1所述的发光器件，其中所述的N型覆盖层形成在由透光物质形成的基材上。11.如权利要求10所述的发光器件，其中所述的基材由蓝宝石形成。12.一种氮化物基发光器件的制造方法，所述的氮化物基发光器件在N型覆盖层和P型覆盖层之间含有发光层，该方法包括在具有N型覆盖层的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊午，成泰连，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，光州科学技术院，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]