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本发明涉及一种利用一基底（１）来制造含微型元件（６）的薄层（５）的方法。所述方法为了每个层体（５）而具体包括如下的步骤：ａ）依照基底（１）表面上形成的多个注入区，将至少一种气态物质局部地注入到所述基底（１）中，通过适当地选择注入深度和所述注...该专利属于原子能委员会;S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过原子能委员会;S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司授权不得商用。