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本发明涉及一种用于制备衬底的方法，特别是用在光学、电子学或光电子学领域中，包括将第一材料的有源部件（１０，１６）键合到含有第二材料的支持基板（２）的一个表面上的操作。本发明的特征在于：进一步包括一淀积操作，将一非晶材料（６）淀积到由第二材料...该专利属于S.O.I.硅绝缘体技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.硅绝缘体技术公司授权不得商用。
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