复数个半导体封装结构的测试方法技术

技术编号:3210769 阅读:210 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种复数个半导体封装结构的测试方法,依序为:在一基板上封装复数个半导体、黏贴胶带、切割基板、测试半导体及分类,其在复数个半导体封装结构未切割前,先以一胶带黏贴于其上表面后,再进行切割基板,然后以一具有复数个探测接点的探测卡接触焊球进行测试,最后依测试结果进行分类,此过程可减少在测试前个别搬运半导体封装结构并可一次大量测试复数个半导体封装结构,故可减少测试所需的时间,提高测试效率及降低成本。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术社冀半导体的测试,尤其是一种,在胶带上大量测试半导体封装结构而增进测试效率、减少测试所需的测试时间。在美国专利案第6,121,063号“球格阵列积体电路的测试方法”中,揭示一种BGA(Ball Grid Array)封装结构10的测试方法,如附图说明图1所示,该BGA封装结构10以习知的黏固晶片(chip mounting)、打线(wire-bonding)、封胶(molding)…等技术进行封装,其包含有一晶片11、一基板12、一连接垫13,而该BGA封装结构10封装完成后的测试方法如下一、该BGA封装结构10在封装完成后,并不进行形成焊球16的步骤,而直接切割成独立的BGA封装结构10,故此时该BGA封装结构10不具有焊球16(即基板12上无形成焊球16),二、将该BGA封装结构10放至高温加速老化(预烧)测试插座(burn-In test socket)内,且该高温加速老化(预烧)测试插座的测试接点直接接触基板12上的连接垫13,而完成高温加速老化(预烧)测试(burn-In test),三、以过氧化氢(hydrogen peroxide)溶剂清洁BGA封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复数个半导体封装结构的测试方法,其特征是:其包含步骤有:进行半导体的封装,在一基板上以封胶体密封复数个半导体晶片,而构成复数个于一基板上的复数个半导体封装结构;黏贴胶带,以一胶带黏贴于复数个未切割前半导体封装结构的上表面;切 割基板,使基板分割成为黏贴于胶带的复数个半导体封装结构,且每一半导体封装结构之间不具有电性连接;测试半导体,以探测卡接触该复数个半导体封装结构,以进行测试;及分类,依测试结果进行分类。

【技术特征摘要】
1.一种复数个半导体封装结构的测试方法,其特征是其包含步骤有进行半导体的封装,在一基板上以封胶体密封复数个半导体晶片,而构成复数个于一基板上的复数个半导体封装结构;黏贴胶带,以一胶带黏贴于复数个未切割前半导体封装结构的上表面;切割基板,使基板分割成为黏贴于胶带的复数个半导体封装结构,且每一半导体封装结构之间不具有电性连接;测试半导体,以探测卡接触该复数个半导体封装结构,以进行测试;及分类,依测试结果进行分类。2.如权利要求1所述的复数个半导体封装结构的测试方法,其特征是其另包含的步骤有形成复数个焊球于该基板的一表面。3.如权利要求2所述的复数个半导体封装结构的测试方法,其特征是该半导体封装结构为塑胶构装BGA(PBGA)、散热增益型BGA(EBG...

【专利技术属性】
技术研发人员:林俊宏钟卓良黄国樑李耀荣
申请(专利权)人:南茂科技股份有限公司百慕达南茂科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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