【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体器件封装及其制造方法。
技术介绍
对于现有的半导体封装，特别是对于在主面侧上形成了CCD(电荷耦合元件)或者晶体管等感光性元件的半导体基板，在陶瓷基板上通过低融点玻璃，固定引线框(lead frame)以及窗框(window frame)，在将CCD芯片固定在陶瓷基板上之后，利用金属细线将CCD芯片上的电极与内部引线、带凹部的内部引线前端部电连接，并通过热固化型树脂固定盖部(例如，JPH04-246852)。另外，还有一种EPROM、CCD以及其它光IC器件用的集成电路模，它具有贯通了金属化过孔的基板，该集成电路模，安装在该基板的第1表面上，与金属化过孔电连接，将粘接性珠(bead)涂敷在该模的周围的基板上，该珠覆盖模的侧面、模的上侧的第1表面的周边部、以及接合线，使透明的封入材料的层堆积在由珠形成的腔体内的模上，将该封入材料固化，形成封装的外层表面(例如USP5,962,810)。然而，在上述JPH04-246852中所记载的半导体封装中，由于具有外部引线，所以存在厚型化的问题。另一方面，在上述USP5,962,810记载的半导体封装...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体封装，其特征在于包括在一面上具有器件区域(2)并且具有与该器件区域(2)连接的连接焊盘(3)的半导体基板(1)；设置在该半导体基板(1)的一面侧上的支承基板(9)；设置在所述半导体基板(1)的另一面侧上的外部电极(12)；以及，一部分向所述半导体基板(1)的周围延伸、并将所述连接焊盘(3)与所述外部电极(12)电连接的连接构件(7、11)。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于将所述连接焊盘(3)与所述外部电极(12)电连接的连接构件(7、11)包含在所述半导体基板(1)的另一面侧延伸出来的再布线(11)。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述连接构件(7、11)，其一端部与所述连接焊盘(3)连接，另一端部具有在所述半导体基板(1)的周围延伸出来的连接用布线(7)。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于所述连接用布线(7)包含由电镀形成的金属层(7b)。5.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于所述连接用布线(7)具有与所述半导体基板(1)的一面紧贴的部分。6.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于所述连接用布线(7)紧贴在所述支承基板(9)上形成。7.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于在所述连接焊盘(3)与所述连接用布线(7、11)之间具有凸出状的连接电极(31)。8.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于在包含在所述半导体基板(1)的周围延伸的所述连接用布线(7、11)的所述半导体基板(1)的另一面与所述再布线(11)之间设置有绝缘膜(6)。9.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于所述连接构件(7、11)，设置在所述支承基板(9)的与所述半导体基板(1)对向的面上，其一端部与所述连接焊盘(3)连接，另一端部具有在所述半导体基板(1)的周围延伸的所述连接用布线(7)和设置在该连接用布线(7)的另一端部上的柱状电极(33)，在所述柱状电极(33)上连接所述再布线(11)。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于在包含在所述半导体基板(1)的周围延伸的所述连接用布线(7)以及所述柱状电极(33)的所述半导体基板(1)的另一面与所述再布线(11)之间设置有绝缘膜(6)。11.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于在所述再布线(11)的连接焊盘部上设置有所述外部电极(12)，设置绝缘膜(13)覆盖除该外部电极(12)的包含所述再布线(11)的所述半导体基板(1)的另一面侧。12.根据权利要求11所述的半导体封装，其特征在于所述外部电极(12)为柱状，在该柱状的外部电极(12)上设置焊锡球(14)。13.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述器件区域(2)是光电转换器件区域。14.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述支承基板(9)是玻璃基板。15.根据权利要求14所述的半导体封装，其特征在于在所述半导体基板(1)与所述玻璃基板(9)之间设置透明粘接层(8)或者透明密封膜。16.一种半导体封装的制造方法，其特征在于包括在一面上具有多个器件区域(2)并且在具有分别与各器件区域(2)连接的多个连接焊盘(3)的晶圆状态的半导体基板(1)的一面上，形成多个连接用布线(7)从而使其各一端部与对应的所述连接焊盘(3)连接并且其各另一端部向所述连接焊盘(3)的外层延伸的工艺；在包含所述多个连接用布线(7)的所述半导体基板(1)的一面上配置支承基板(9)的工艺；在所述器件区域(2)之间至少将与所述多个连接用布线(7)的各另...
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