【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅上金属(metal-on-silicon)(MOS)结构，具体来说，本专利技术涉及其中包含低电阻扩散区的MOS结构，所说的低电阻扩散区具有可以接受的缺陷密度、可靠性、和过程控制性。双极性晶体管在集电极区使用较高的掺杂层，以减小集电极电阻和改善器件特性。这个区称之为亚集电极，它形成在构成双极性晶体管的其它的扩散区的下面。然而，在连接这个亚集电极和具有相当低的电阻扩散的表面的集电极触点下面，必须形成较高的掺杂透过扩散。这是众所周知的、标准的、双极性晶体管设计。还有一个期望是在同一个模具上可以得到一种用于回路设计的电容器元件，以便在尽可能多的作为制造电容器的正常工艺流程的一部分的处理步骤中重复使用。重复使用处理步骤来制造MOS电容器的一个优点是成本较低。用来制造MOS电容器的过程必须要提供期望的可靠性、应用所需的缺陷密度、和对于不同的方法产生一致的电特性的足够大的可控性。在现有技术中，使用两种不同的方法来制备扩散区。在附图说明图1和2中表示出这些现有技术方法。在这些图中，标号10代表硅基片，标号12代表浅沟隔离区，标号14代表在离子注入前在基片10...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOS结构，包括在其中形成有扩散区的硅基片，所说的扩散区的电阻为50欧姆/sq.或更小，并且是距所说的硅基片的表面约500埃或更大的深度处形成的。2.权利要求1的MOS结构，其特征在于进一步包括在所说的...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·科尔鲍，D·L·哈拉梅，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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