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一种ＭＯＳ结构，包括在其中形成有扩散区的硅基片，所说的扩散区的电阻为５０欧姆／ｓｑ．或更小，并且是距所说的硅基片的表面约５００埃或更大的深度处形成的。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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