【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非晶硅的结晶方法。更具体地,本专利技术涉及一种用于结晶非晶硅的掩模,一种连续横向固化(SLS)结晶方法以及利用其制造阵列基板的方法。
技术介绍
由于信息技术的快速发展,显示装置已经发展成能够处理和显示大量信息的工具。现已开发了例如液晶显示(LCD)装置等具有厚度薄、重量轻和低功耗等属性的平板显示装置。由于其出众的分辨率、彩色图像显示和所显示的图像的质量,LCD装置目前已广泛地应用于笔记本电脑、台式监视器等中。通常,液晶显示(LCD)装置包括两个基板,彼此间隔并且相互面对;和注入到两个基板之间的液晶层。每个基板包括电极,并且各个基板的电极也彼此面对。将电压施加给各个电极并且在电极之间感应出电场。通过改变电场的强度和方向,改变液晶分子的排列。通过改变根据液晶分子的排列而变化的光透光率,以使LCD装置显示图像。LCD装置的一个基板包括用作开关装置的薄膜晶体管。因为非晶硅能够形成在尺寸大、成本低的基板例如玻璃基板上,非晶硅已广泛地用作薄膜晶体管的有源层。LCD装置还包括控制薄膜晶体管的驱动集成电路(驱动IC)。可惜的是,非晶硅无法形成适用于驱动IC的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非晶硅的结晶方法,用于制造具有薄膜晶体管、像素电极和对准键的阵列基板,其包括在基板上方形成非晶硅层;在所述的非晶硅层中形成对准键;预制包括图形部分和对准键图形的掩模,所述的图形部分对应于薄膜晶体管;将所述的掩模设置在具有非晶硅层的基板上,其中对准键图形与对准键对齐;和通过掩模将激光束的第一次照射作用到非晶硅层中,从而形成对应于掩模的图形部分的第一多晶硅区域。2.根据权利要求1的方法,其特征在于,进一步包括移动具有第一多晶硅区域的基板的步骤,和通过掩模将激光束的第二次照射作用到非晶硅层中的步骤,从而形成对应于掩模的图形部分的第二多晶硅区域。3.根据权利要求1的方法,其特征在于,第一次照射和第二次照射不重叠。4.根据权利要求1的方法,其特征在于,对准键形成在基板的角的周围。5.根据权利要求1的方法,其特征在于,对准键的数量是4个。6.一种结晶非晶硅的掩模,用于制造包括薄膜晶体管、像素电极和对准键的阵列基板,其包括对应于对准键的对准键图形;和多个对应于薄膜晶体管的图形部分。7.根据权利要求6的掩模,其特征在于,每个图形部分包括多个狭缝。8.根据权利要求7的掩模,其特征在于,多个狭缝具有大约2μm至大约3μm范围的宽度。9.根据权利要求7的掩模,其特征在于,多个狭缝在大约4μm至6μm的范围内隔开。10.根据权利要求6的掩模,其特征在于,每个图形部分具有第一区域和第二区域,第一区域包括由第一间隔分隔开的多个第一狭缝,第二区域包括由第二间隔分隔开的多个第二狭缝,其中多个第二狭缝平行于多个第一狭缝。11.根据权利要求10的掩模,其中多个第一狭缝对应...
【专利技术属性】
技术研发人员:金营株,
申请(专利权)人:LG菲利浦LCD株式会社,
类型:发明
国别省市:
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