【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过旋涂法在由MOCVD沉积的高度结晶的PCMO晶种层上制备PCMO薄膜的方法。该PCMO薄膜具有稳定的可逆电阻转换性能,其使用负的纳秒级的短电脉冲将电阻写入高状态,并使用正的微秒级的长电脉冲将电阻重新设置为低状态。
技术介绍
通过脉冲激光烧蚀(PLA)技术使通过施加电脉冲具有可逆电阻变化的Pr0.3Ca0.7MnO3(PCMO)金属氧化物薄膜在取向生长的YBa2Cu3O7(YBCO)和部分取向生长的铂基质上生长,该脉冲激光烧蚀技术在shangqingLiu等人的“电脉冲引发的磁电阻膜中的可逆电阻变化效应”,Applied Physics Letters,Vol.76,No.19,pp.2749,2000年5月;和2001年3月2 0日授权的美国专利No.6,204,139 B1“薄膜电阻器中使用的钙钛矿材料性能的转换方法”中得到描述。2002年9月26日递交的同时待审的美国专利申请系列No.10/256,358“由短电脉冲引发的可逆电阻变化的方法”中描述了一种使用沉积技术旋涂PCMO薄膜以使用单极电脉冲制备可逆电阻转换的方法。在2003年2月27日递交的同时待审的美国专利申请系列No.10/377,244“控制通过MOCVD沉积的PCMO组合物的前提溶液和方法”中,具有可逆电阻性能的PCMO薄膜通过MOCVD形成。上述Liu等人发现通过在室温下施加双极电脉冲,PCMO膜中电阻发生变化,特别是Pr0.3Ca0.7MnO3(PCMO)薄膜。Liu等人通过脉冲激光沉积(PLD)将PCMO薄膜沉积在取向生长的YBa2Cu3O7(YBCO)和 ...
【技术保护点】
一种当与高度结晶的晶种层结合时,在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法,其包括:通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50*~300*的PCMO薄膜的晶种层,通过旋涂法将厚度为约500*~3000*的第二PCMO薄膜层沉 积在该晶种层上以形成复合PCMO层;通过施加脉冲宽度为约75ns~1μs的、约-4V~-5V的负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO层的电阻;并且通过施加脉冲宽度大于2.0μs的、约+2.5V~+4V的正电脉冲降低半导体设备中 复合PCMO层的电阻。
【技术特征摘要】
US 2003-8-13 10/6407701.一种当与高度结晶的晶种层结合时,在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法,其包括通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50~300的PCMO薄膜的晶种层,通过旋涂法将厚度为约500~3000的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以形成复合PCMO层;通过施加脉冲宽度为约75ns~1μs的、约-4V~-5V的负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO层的电阻;并且通过施加脉冲宽度大于2.0μs的、约+2.5V~+4V的正电脉冲降低半导体设备中复合PCMO层的电阻。2.权利要求1的方法,其包括在高温下将该复合PCMO层进行后退火以提高该高度结晶层的切换和稳定性能,其进一步包括在约500℃~650℃的温度下退火约10分钟~120分钟。3.一种当与高度结晶的晶种层结合时,在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法,其包括通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50~300的PCMO薄膜的晶种层,通过旋涂法将厚度为约500~3000的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以形成复合PCMO层;通过施加负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO层的电阻;并且通过施加正电脉冲降低半导体设备中复合PCMO层的电阻。4.权利要求3的方法,其中所述的通过施加负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO层的电阻包括施加脉冲宽度为约75ns...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄维佛,李廷凯,DR埃文斯,许胜籐,潘威,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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