专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
夏普株式会社
>
当与高度结晶的晶种层结合时在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法技术
>技术资料下载
下载当与高度结晶的晶种层结合时在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法的技术资料
文档序号:3204804
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种当与高度结晶的晶种层结合时,在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法,其包括:通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50*~300*的PCMO薄膜的晶种层;通过旋涂法将厚度为约500*~3000*的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。