【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种可以减少掩模工序次数的。
技术介绍
通常，液晶显示器通过利用电场调整液晶的透光率来显示图像。为了达到这个目的，液晶显示器包括液晶显示屏，液晶单元按矩阵形式排列在其中；和驱动电路，用于驱动液晶显示屏。液晶显示屏包括彼此面对的薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板；用于在两基板间保持指定单元间隙的隔片；以及填入单元间隙中的液晶。薄膜晶体管阵列基板包括选通线和数据线、形成于选通线和数据线的各个交叉点处并用作开关装置的薄膜晶体管、与液晶单元形成的薄膜晶体管相连接的像素电极，以及布于其上的配向膜。选通线和数据线通过各个焊盘部从驱动电路接收信号。薄膜晶体管响应于施加给选通线的扫描信号，把施加在数据线上的像素电压信号施加给像素电极。滤色器阵列基板包括由液晶单元形成的滤色器、用于反射外部光并分隔滤色器的黑色基底(black matrix)、用于向液晶单元提供参考电压的公共电极，以及布于其上的配向膜。液晶显示屏包括特制的薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板，液晶注入在其中，随后将该显示屏密封。对于此液晶屏，薄膜晶体管阵列基板包括半导体工序和多次掩模工...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅图形，包括薄膜晶体管的栅极；与栅极相连的选通线；以及与选通线相连的栅焊盘；源/漏极图形，包括薄膜晶体管的源极和漏极；与源极相连的数据线；与数据线相连的数据焊盘；与选通线交叠的存储电极；位于基板较低区域中的对应于源/漏极图形的半导体图形；透明电极，其包含与漏极和存储电极相连的像素电极、覆盖栅焊盘的栅焊盘保护电极以及覆盖数据焊盘的数据焊盘保护电极；以及保护图形和栅绝缘图形，其层叠在除形成有透明电极图形的区域之外的区域中。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于保护图形部分地露出漏极和存储电极，并与像素电极相连。3.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括利用第一掩模工序形成位于基板上的薄膜晶体管的栅极、与栅极相连的选通线、包含与选通线相连的栅焊盘的栅图形；在形成有栅图形的基板上形成栅绝缘膜；利用第二掩模工序形成位于栅绝缘膜上的薄膜晶体管的源极和漏极、与源极相连的数据线、与数据线相连的数据焊盘、包含与选通线相交叠的区域中的存储电极的源/漏极图形，以及在较低部位形成的对应于源/漏极图形的半导体图形；以及利用第三掩模工序形成与漏极和存储电极相连的像素电极、覆盖栅焊盘的栅焊盘保护电极、包含覆盖数据焊盘的数据焊盘保护电极的透明电极图形，以及在除形成有透明电极图形的区域之外的区域中层叠的栅绝缘图形和保护膜图形。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于第二掩模工序采用了在薄膜晶体管的沟道部分中具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于第二掩模工序包括在栅绝缘膜上相继形成半导体层和源/漏极金属层；利用衍射曝光掩模在薄膜晶体管沟道部分的高度低于源/漏极图形部分的地方形成光刻胶图形；利用光刻胶图形对源/漏极金属层和半导体层进行构图；灰化光刻胶图形至指定深度；利用灰化后的光刻胶图形去除薄膜晶体管的沟道部分的源/漏极金属层；以及通过剥离工艺去除光刻胶图形。6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于第三掩模工序包括在形成有源/漏极图形的基板上形成保护膜；利用第三掩模形成光刻胶图形；利用保护膜图形形成栅绝缘图形和保护膜图形，并利用光刻胶图形形成绝缘膜；在存在光刻胶图形的基板上蒸镀透明电极材料；以及通过剥离工艺去除光刻胶图形并去除透明电极材料来形成透明电极图形。7.根据权利要求3所述的薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳洵城，张允琼，赵兴烈，
申请(专利权)人：LG飞利浦LCD有限公司，
类型：发明
国别省市：
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