半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够防止在栅极电极的弯曲部分连半导体层也被刻蚀的半导体装置。半导体装置包含支持基板３、以及设置在支持基板内的将元件区隔离的元件隔离绝缘膜４。在元件区内的支持基板上设置第１栅极绝缘膜１１、以及具有比第１栅极绝缘膜要厚的厚度的第２栅极绝缘膜１２。栅极电极Ｇ具有在第１栅极绝缘膜上沿第１方向延伸的第１部分Ｇａ、以及从第１部分起沿与第１方向不同的第２方向沿伸的第２部分Ｇｂ。形成第１部分与第２部分的内角的部分设置在第２栅极绝缘膜上。源极／漏极扩散层Ｓ与Ｄ形成在支持基板内，将栅极电极的第１部分的下方沟道区夹在当中。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别涉及采用在绝缘膜上的半导体层内形成SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上的硅)元件的MIS(Metal Insulator Semicoductor，金属—绝缘体—半导体)型半导体装置。
技术介绍
随着半导体集成电路的低功耗及高密度，要求构成半导体集成电路的各个元件实现微细化，工作电压要采用低电压。对于这样的要求，已经知道有能够高速动作、低功耗的SOI(Silicon On Insulator)元件。图12(a)及(b)所示为典型的SOI元件的简图。如图12(a)及(b)所示，在半导体基板101上隔着绝缘膜102设置的半导体层103内，形成MIS(Metal InsulatorSemiconductor)晶体管Q。栅极电极G形成T字形状。这是为了用作为对形成与半导体层103内接触的区域106及源极、漏极扩散层S、D区的各区域注入不同极性的离子时的边界。图13所示为图12(a)及(b)的SOI元件的制造方法简图。如图13所示，在半导体基板101上形成绝缘膜102及半导体层103之后，半导体层103除了与元件区域对应的位置以外都被除去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括支持基板，设置在所述基板内的将元件区隔离的元件隔离绝缘膜，设置在所述元件区内的所述支持基板上的第１栅极绝缘膜，设置在所述元件区内的所述支持基板上的、具有比所述第１栅极绝缘膜要厚 的膜厚的第２栅极绝缘膜，形成具有在所述第１栅极绝缘膜上沿第１方向延伸的第１部分及所述第１部分起沿与所述第１方向不同的第２方向延伸的第２部分、而且使形成所述第１部分与所述第２部分的内角的部分设置在所述第２栅极绝缘膜上的栅极电极，以及　 　在所述支持基板内形成将所述栅极的所述第１部分下方的沟道区夹在当中的源极／漏极扩...

【技术特征摘要】
JP 2003-2-13 2003-0355671.一种半导体装置，其特征在于，包括支持基板，设置在所述基板内的将元件区隔离的元件隔离绝缘膜，设置在所述元件区内的所述支持基板上的第1栅极绝缘膜，设置在所述元件区内的所述支持基板上的、具有比所述第1栅极绝缘膜要厚的膜厚的第2栅极绝缘膜，形成具有在所述第1栅极绝缘膜上沿第1方向延伸的第1部分及所述第1部分起沿与所述第1方向不同的第2方向延伸的第2部分、而且使形成所述第1部分与所述第2部分的内角的部分设置在所述第2栅极绝缘膜上的栅极电极，以及在所述支持基板内形成将所述栅极的所述第1部分下方的沟道区夹在当中的源极/漏极扩散层。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述支持基板具有半导体基板，设置在所述半导体基板上的绝缘膜，以及设置在所述绝缘膜上的半导体层。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：新居英明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]