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本发明提供能够防止在栅极电极的弯曲部分连半导体层也被刻蚀的半导体装置。半导体装置包含支持基板３、以及设置在支持基板内的将元件区隔离的元件隔离绝缘膜４。在元件区内的支持基板上设置第１栅极绝缘膜１１、以及具有比第１栅极绝缘膜要厚的厚度的第２栅极...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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