形成半导体装置的金属线的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种形成半导体装置的金属线的方法，包括下列步骤：通过，执行一主蚀刻制造工艺及一过度蚀刻制造工艺以形成一连接至一下层元件的金属线，同时形成一金属熔丝（ｍｅｔａｌ　ｆｕｓｅ），该金属熔丝的一端连接至该金属线且另一端连接至半导体基板；以及通过执行一过度蚀刻制造工艺来形成该半导体装置的该金属线，以使该金属线与该金属熔丝电绝缘。在形成该金属线的过度蚀刻制造工艺期间因等离子体所感生的电荷会累积在该金属线中。根据本发明专利技术，由于会通过该金属熔丝将该金属线中所累积的等离子体感生的电荷放电至该半导体基板中，因而能够使该下层元件损坏降至最低限度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，具体而言，是涉及一种能够最小化由于在形成连接至下层元件期间的过度蚀刻制造工艺而累积在金属线中的等离子体感生的电荷对下层元件造成的损坏的。
技术介绍
一般而言，沉积一金属层后，会通过使用等离子体蚀刻方法来执行一主蚀刻制造工艺及一过度蚀刻制造工艺，以便将一金属线连接至一下层元件。在形成该金属线的制造工艺期间，因等离子体所感生的电荷会累积在该金属线，起到一充电天线的作用，因而在该金属线中累积的电荷会损坏该下层元件。图1A到图1F用于说明形成半导体装置的金属线的传统的方法的断面图。请参阅图1A，在半导体基板10上形成一下层元件11。该下层元件11包括本专利技术中采用的所有单元组件。请参阅图1B，在包括该下层元件11的该半导体基板10上形成一层间绝缘膜12。通过蚀刻该层间绝缘膜12的一部份，以形成一金属线接触孔13，以便曝露该下层元件11的上表面的一部份。请参阅图1C，使用导电材料填满该金属线接触孔13的内部部份，以便形成一连接至该下层元件11的金属线插塞14。请参阅图1D，在包括该金属线插塞14的该层间绝缘膜12上形成一金属层15。在包括该金属层15上形成一光致抗蚀剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体装置的金属线的方法，包括下列步骤：制备一半导体基板，该半导体基板包括一下层元件以及一形成在该下层元件上的层间绝缘膜；通过蚀刻该层间绝缘膜的一部份，形成一金属线接触孔以曝露该下层元件的一部份，以及形成一金属熔丝接 触孔以曝露该半导体基板的一部份；通过使用导电材料填满该金属线接触孔及该金属熔丝接触孔，以便分别形成一金属线插塞及一金属熔丝插塞；在包括该金属线插塞及该金属熔丝插塞的该层间绝缘膜上形成一金属层；通过执行一主蚀刻制造工艺 及一过度蚀刻制造工艺来蚀刻该金属层，以形成一金属线图案及一连接至该金属线图案的金...

【技术特征摘要】
KR 2003-4-3 21058/031.一种形成半导体装置的金属线的方法，包括下列步骤制备一半导体基板，该半导体基板包括一下层元件以及一形成在该下层元件上的层间绝缘膜；通过蚀刻该层间绝缘膜的一部份，形成一金属线接触孔以曝露该下层元件的一部份，以及形成一金属熔丝接触孔以曝露该半导体基板的一部份；通过使用导电材料填满该金属线接触孔及该金属熔丝接触孔，以便分别形成一金属线插塞及一金属熔丝插塞；在包括该金属线插塞及该金属熔丝插塞的该层间绝缘膜上形成一金属层；通过执行一主蚀刻制造工艺及一过度蚀刻制造工艺来蚀刻该金属层，以形成一金属线图案及一连接至该金属线图案的金属熔丝图案，从而形成该金属线；以及通过过度蚀刻该金属熔丝以电绝缘该金属线图案与该金属熔丝图...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴信胜，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]