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本发明涉及一种形成半导体装置的金属线的方法，包括下列步骤：通过，执行一主蚀刻制造工艺及一过度蚀刻制造工艺以形成一连接至一下层元件的金属线，同时形成一金属熔丝（ｍｅｔａｌ　ｆｕｓｅ），该金属熔丝的一端连接至该金属线且另一端连接至半导体基板；以...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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