【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包括至少一个EPROM(可擦除可编程只读存储器)/EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)存储单元的非易失性半导体存储器，该EPROM/EEPROM存储单元包含浮栅晶体管和耦合电容器，所述浮栅晶体管包括场效应晶体管和多晶硅层，该耦合电容器包括第一电极和第二电极以及插入在所述电极之间的电介质。本专利技术还涉及显示器器件和用于控制显示器器件的装置。EPROM/EEPROM存储单元被用来建造非易失性半导体器件，特别地用于集成电路(嵌入式EPROM/EEPROM)和通常供在计算机或微处理器控制器件中使用以便存储如下的程序和/或数据，在没有施加电源时这些程序和/或数据应该还可以保留。用于例如液晶显示屏的显示屏的所谓驱动器电路包括多个非易失性半导体存储器，用于调节使得该显示屏的视觉对比度最佳化的确定参数。EPROM/EEPROM存储器单元通常包括浮栅晶体管，它的浮栅被正性充电或负性充电，因此分别表示擦除状态或编程状态。EPROM/EEPROM存储单元可以还包括耦合电容器，其把施加给控制电极的电压导入到浮栅极中。EEPROM存储单元通常还包括第二晶体管，它是...
【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器，包括至少一个ＥＰＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ存储单元，该存储单元包括浮栅晶体管和耦合电容器，所述浮栅晶体管包括场效应晶体管和多晶硅层，所述耦合电容器包括第一电极和第二电极以及插入在所述电极之间的电介质，所述 耦合电容器的第一电极电耦合所述浮栅晶体管的多晶硅层，和所述浮栅晶体管的控制电极形成所述耦合电容器的第二电极。
【技术特征摘要】
DE 2001-8-28 10141962.71.一种非易失性半导体存储器，包括至少一个EPROM/EEPROM存储单元，该存储单元包括浮栅晶体管和耦合电容器，所述浮栅晶体管包括场效应晶体管和多晶硅层，所述耦合电容器包括第一电极和第二电极以及插入在所述电极之间的电介质，所述耦合电容器的第一电极电耦合所述浮栅晶体管的多晶硅层，和所述浮栅晶体管的控制电极形成所述耦合电容器的第二电极。2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其特征在于所述耦合电容器是MIM(金属-绝缘体-金属)电容器。3.一种配备有用于控制显示器器件的装置的显示器器件，该装置包括非易失性半导体存储器，该非易失性半导体存储器包括至少一个EPROM/E...
【专利技术属性】
技术研发人员：J索罗德扎迪瓦，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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