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一种非易失性半导体存储器，包括至少一个ＥＰＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ存储单元，该存储单元包括浮栅晶体管和耦合电容器，所述浮栅晶体管包括场效应晶体管和多晶硅层，所述耦合电容器包括第一电极和第二电极以及插入在所述电极之间的电介质，所述耦合电容器的第一...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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