SOI基板的加工方法技术

由半导体基板形成的背面层、在该背面层的上面叠层的绝缘层、在该绝缘层的上面叠层半导体薄膜层、在该半导体薄膜层的表面上形成的回路构成的ＳＯＩ基板的加工方法中，包括：磨削该背面层、残留规定的厚度的磨削工序，以及将利用该磨削工序形成规定厚度的该背面层进行化学腐蚀处理、将其除去，使该绝缘层露出的腐蚀工序。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体基板构成的背面层的上面形成绝缘层，在该绝缘层的上面形成的半导体薄膜层的表面上形成回路的SOI基板加工方法。
技术介绍
近年来，为了获得提高信号处理速度的半导体芯片，在半导体基板构成的背面层的表面形成绝缘层，在该绝缘层的上面形成的半导体薄膜层的表面上形成回路的SOI基板达到实用化。这种SOI基板，利用使表面上形成氧化膜等的绝缘层的硅等的半导体基板彼此面对结合的晶片粘合法，以及将氧原子离子注入到硅等半导体基板内，接着通过进行热处理，在内部形成氧化膜等的绝缘层的SIMOX法等构成。同时，通过研磨等将一个半导体基板侧减薄，形成半导体薄膜层，在该半导体薄膜层的表面上形成回路。这样，所形成的SOI基板，通过切割成形成回路的各个区域，形成各个半导体芯片。如上所述构成的半导体芯片，为了具有良好的散热性及电性能，并且，为了将多个半导体芯片叠层构成多层结构的半导体器件，希望使其厚度尽可能地薄。因此，在将SOI基板分割成各个半导体芯片之前，将半导体基板构成的背面层进行磨削，加工成规定的厚度。然而，当利用磨削砂轮机械地磨削构成SOI基板的半导体基板构成的背面层时，有伤及氧化膜等的绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ基板加工方法，ＳＯＩ基板由半导体基板形成的背面层、在该背面层的上面叠层的绝缘层、在该绝缘层的上面叠层的半导体薄膜层、在该半导体薄膜层的表面上形成的回路，其特征在于，该方法包括：对该背面层进行化学腐蚀处理将其除去，使该绝缘层 露出的腐蚀工序。

【技术特征摘要】
JP 2002-7-24 215000/20021.一种SOI基板加工方法，SOI基板由半导体基板形成的背面层、在该背面层的上面叠层的绝缘层、在该绝缘层的上面叠层的半导体薄膜层、在该半导体薄膜层的表面上形成的回路，其特征在于，该方法包括对该背面层进行化学腐蚀处理将其除去，使该绝缘层露出的腐蚀工序。2.一种SOI基板加工方法，SOI基板由半导体基板形成的背面层、在该背面层的上面叠层的绝缘层、在该绝缘层的上面叠层的半导体薄膜层、在该半导体薄膜层的表面上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥敏昭，荒井一尚，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]