保护元件制造技术

本发明专利技术提供一种保护元件。微波ＦＥＴ所具有的内在肖特基结（接合）电容或ＰＮ结电容小，这些结的抗静电能力弱。但是，在微波器件中通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特性的恶化，存在不能采取该方法的问题。本发明专利技术在ＰＮ结、肖特基结或具有电容的被保护元件的２端子间并联连接由第１Ｎ↑［＋］型区域－绝缘区域－第２Ｎ↑［＋］型区域构成的保护元件。由于可在邻近的第１、第２Ｎ↑［＋］区域间放电，所以可不增加寄生电容而衰减整个ＦＥＴ工作区域中的静电能量。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及保护元件，特别涉及不使被保护元件的高频特性恶化而大幅度提高静电破坏电压的保护元件。
技术介绍
图11表示具有结或电容的半导体装置的等效电路图。图11(A)、图11(B)、图11(C)分别为表示GaAsMESFET、双极晶体管、MOSFET的等效电路图。这样，对于任何半导体器件，在考虑静电破坏电压时，可以如图所示的由二极管、电容器、电阻器(高频器件的情况下还包括电感器)构成的等效电路来表达。而且，该二极管表示PN结或肖特基结。例如GaAsMESFET的二极管为肖特基势垒二极管，双极晶体管的二极管为PN结二极管。在现有半导体装置中，一般为了对器件进行静电保护，考虑的方法是在包含容易静电破坏的PN结、肖特基结、电容的器件中并联连接静电破坏保护二极管。
技术实现思路
如上所述，一般为了对器件进行静电保护，考虑的方法是在包含容易静电破坏的PN结、肖特基结、电容的器件中并联连接静电破坏保护二极管。但是在微波器件中，通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特性的恶化，不能采取该方法。因此，这些微波通信用器件与其他的音响用、影像用、电源用器件不同，这些器件中存在的肖特基结电容或PN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护元件，其特征在于保护元件包括：具有２个侧面的第１高浓度杂质区域；与所述第１高浓度杂质区域的１个侧面相对配置，与该第１高浓度杂质区域相比其宽度更宽的第２高浓度杂质区域；配置在所述第１及第２高浓度杂质区域周围的绝 缘区域；在所述第１及第２高浓度杂质区域的相对面之间以及该两区域的底面附近间的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第１电流路径；从所述第２高浓度杂质区域迂回到比所述第１及第２高浓度杂质区域更深的区域，在所述第１高浓 度杂质区域的另一侧面的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第２电流路...

【技术特征摘要】
JP 2002-9-9 262844/20021.一种保护元件，其特征在于保护元件包括具有2个侧面的第1高浓度杂质区域；与所述第1高浓度杂质区域的1个侧面相对配置，与该第1高浓度杂质区域相比其宽度更宽的第2高浓度杂质区域；配置在所述第1及第2高浓度杂质区域周围的绝缘区域；在所述第1及第2高浓度杂质区域的相对面之间以及该两区域的底面附近间的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第1电流路径；从所述第2高浓度杂质区域迂回到比所述第1及第2高浓度杂质区域更深的区域，在所述第1高浓度杂质区域的另一侧面的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第2电流路径，所述第1及第2高浓度杂质区域作为2个端子并联连接在被保护元件的2个端子间，所述被保护元件的2个端子间施加的静电能量在所述第1及第2高浓度杂质区域间放电，衰减所述静电能量。2.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，在从所述第1高浓度杂质区域与所述第2高浓度杂质区域的所述相对面离开的方向上设置曲折的延展部，在该延展部与所述第2高浓度杂质区域间的所述绝缘区域中形成作为电子电流和空穴电流的路径的第3电流路径。3.一种保护元件，其特征在于保护元件包括具有2个侧面的第1高浓度杂质区域；具有2个侧面，以与所述第1高浓度杂质区域同等的宽度与该区域相对配置1个侧面的第2高浓度杂质区域；配置在所述第1及第2高浓度杂质区域周围的绝缘区域；在所述第1及第2高浓度杂质区域的相对面之间以及该两区域的底面附近间的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第1电流路径；从所述第2高浓度杂质区域的另一侧面迂回到比所述第1及第2高浓度杂质区域更深的区域，直至所述第1高浓度杂质区域的另一侧面的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第2电流路径，所述第1及第2高浓度杂质区域作为2个端子并联连接在被保护元件的2个端子间，所述被保护元件的2个端子间施加的静电能量在所述第1及第2高浓度杂质区域间放电，衰减所述静电能量。4.如权利要求3所述的保护元件，其特征在于，在从所述第1高浓度杂质区域与所述第2高浓度杂质区域的所述相对面离开的方向上设置曲折的延展部，在该延展部与所述第2高浓度杂质区域间的所述绝缘区域中形成作为电子电流和空穴电流的路径的第3电流路径。5.如权利要求3所述的保护元件，其特征在于，在从所述第2高浓度杂质区域与所述第1高浓度杂质区域的所述相对面离开的方向上设置曲折的延展部，在该延展部与所述第1高浓度杂质区域间的所述绝缘区域中形成作为电子电流和空穴电流的路径的第3电流路径6.如权利要求1或3所述的保护元件，其特征在于，第1高浓度杂质区域的宽度在5μm以下。7.如权利要求1或3所述的保护元件，其特征在于，所述第2电流路径具有比所述第1电流路径高得多的传导度调制效率。8.如权利要求1或3所述的保护元件，其特征在于，流过所述第2电流路径的电流值等于或大于流过所述第1电流路径的电流值。9.如权利要求1或3所述的保护元件，其特征在于，所述第2电流路径确保从所述第1高浓度杂质区...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅野哲郎，榊原干人，平井利和，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]