半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件（半导体模块）及其制造方法。半导体模块具备在ＳｉＣ衬底上、能够个别地工作的区段１（半导体元件）。区段１具备：设置在ＳｉＣ衬底主面侧上源电极焊接区２及栅电极焊接区３和设置在ＳｉＣ衬底的背面侧上的漏电极焊接区。具备用于使相邻接的区段１彼此之间电隔离的沟槽、肖特基二极管等元件隔离区。仅仅将经检查确认是合格品的区段１的电极焊接区２、３连接在电极端子４１、４３上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，该半导体器件具备多个由碳化硅(SiC)、GaN、金刚石等宽禁带宽度半导体构成的半导体元件。
技术介绍
历来，为了控制大电流、实现低损耗，半导体功率器件都需要大面积。例如，正在市场上出售的单一功率器件，就是在4英寸以上大小的Si晶片全体上，集成多个作为半导体元件的纵型NISFET而成的器件(例如，参照文献电气学会高性能高功能功率器件、功率IC调查专门委员会编「功率器件、功率IC手册」、KORONA公司、1996年7月30日、P4)。集成多个纵型MISFET构成一个功率器件是为了分散电流流通区域，避免发热部的集中。另一方面，使用碳化硅(SiC)、GaN、AlN等III族氮化物、金刚石等宽禁带宽度半导体构成的宽禁带宽度半导体器件，由于在材料物理特性上具有高速工作、高耐压、低损耗等优点，正在进行实用化的研究开发。此外，用「SiC」表示的碳化硅和用「Si∶C」表示的含微量C(百分之几以下)的硅，是物理性质、化学性质不同的材料。(解决课题)但是，上述宽禁带宽度半导体材料，存在难于得到缺陷少的晶片的困难。例如，在使用碳化硅(SiC)的情况下，将在碳化硅晶片上外延生长的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：　　　　具备：由宽禁带宽度半导体构成的有源区；具有至少２个施加工作用电压的电极焊接区、能够相互独立地工作的多个半导体元件；　　　　多个电极端子；　　　　用于电连接上述多个半导体元件中至少一部分的特定的多个半导体元件的各电极焊接区和上述多个电极端子的多个连接部件，　　　　上述特定的多个半导体元件相互并联工作。

【技术特征摘要】
JP 2002-6-13 172317/2002;JP 2003-1-27 17391/20031.一种半导体器件，其特征在于具备由宽禁带宽度半导体构成的有源区；具有至少2个施加工作用电压的电极焊接区、能够相互独立地工作的多个半导体元件；多个电极端子；用于电连接上述多个半导体元件中至少一部分的特定的多个半导体元件的各电极焊接区和上述多个电极端子的多个连接部件，上述特定的多个半导体元件相互并联工作。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述多个连接部件由在流过超过一定值的电流时就熔断的材料构成。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于上述多个连接部件由金属构成。4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的半导体器件，其特征在于上述多个半导体元件形成在共同的衬底上，上述多个半导体元件中上述特定半导体元件以外的半导体元件的至少一个电极焊接区，不与上述多个电极端子的任何一个电连接。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于上述多个半导体元件中，上述特定半导体元件以外的半导体元件，包含经检查确认工作不良的半导体元件。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于上述多个半导体元件中，上述特定半导体元件以外的半导体元件，包含经检查确认工作良好的半导体元件，上述特定的半导体元件的个数规定为一定值。7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于具备用于电隔离上述多个半导体元件彼此之间的、作为肖特基...

【专利技术属性】
技术研发人员：北畠真，楠本修，内田正雄，高桥邦方，山下贤哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]