【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在异常时使发热体发热并使低熔点金属体熔断的保护元件。
技术介绍
作为不仅會,防ibl电流还能够防止过电压、对便携用电子设备的二次电 池等有用的保护元件，公知有在 上层叠或平面配置发热体和低熔点金属体 的《尉户元件(日本专禾瞎2790433号、特开平10-116549号公报)。对于此类 型的保护元件，异常时，对发热体进行通电，通过使发热体发热来使低熔点金 属熔断。近年来，伴随便携用电子设备的高性能化，对于战的f跟元件，要求提 高额定电流。为了提高^尉户元件的额定电流， 一般考虑通过增刘鹏点金属体 的厚度或宽度，而使織面积增大、从而使电阻斷氏。但是，增大低熔点金属 体的截面积时，就会产生所谓的当过电流或过电压时切断电流所需工作时间变 长的问题。此外，使低熔点金属体的厚度增加，这与元件薄型化的要求也是矛 盾的。并且，对于战微元件，存S^f谓,A3M:发热体的发热倒氏熔点金属体成为熔融状态至U熔断的时间不稳定的问题，提出在f鹏点金属体和熔断有效电 极面积上需保持规定的关系等(特开2001-325869号公报)。本专利技术的目的在于，掛共一种傲户元件，该...
【技术保护点】
一种保护元件，在基板上具有发热体和低熔点金属体，通过发热体的发热使低熔点金属体熔断，其特征是，在使电流通过低熔点金属体的一对电极间，在低熔点金属体中形成薄壁部，以便当发热体发热时将该低熔点金属体的至少一部分的横截面划分为大于等于两个 的独立截面；在该低熔点金属体中央部分配置设在该一对电极间的电极。
【技术特征摘要】
JP 2002-12-27 382566/20021.一种保护元件，在基板上具有发热体和低熔点金属体，通过发热体的发热使低熔点金属体熔断，其特征是，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：古内裕治，田村久弥，松吉雅弘，古田和隆，川津雅巳，
申请(专利权)人：索尼化学信息部件株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。