半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体元件及其制造方法。在进行用于形成柱电极的抗电镀膜的曝光时，首先，利用柱电极形成用第１曝光掩模（２４），对半导体元件形成区域（２１）和调整标记形成区域（２２）进行分步曝光。然后，利用调整用柱电极形成用的第２曝光掩模（２５），仅对调整标记形成区域（２２）进行曝光。因此，在半导体元件形成区域（２１）仅形成柱电极（１０），在调整标记形成区域（２２）仅形成调整用柱电极（１０ａ）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更详细地说，涉及具有调整用柱电极的。
技术介绍
以往，在半导体集成电路晶片上形成的连接焊盘(pad垫)上形成外部连接用的柱电极时，光掩膜的调整，在使用晶片的取向平面的情况下，误差较大，一般都以覆盖连接焊盘周边的绝缘膜开口部为基准来进行。然而，随着柱电极数的增大，其排列节距(pitch)微小，即使以绝缘膜开口部为基准的调整，精度也不能维持。为此，将在连接焊盘上直接形成调整标记，予以改善(例如，参照专利文献1)。专利文献1记载的方法是在连接焊盘的周边或周边近旁设置由金属薄膜脱落部分形成的调整标记，将该调整标记设置在晶片的对角线上，进行晶片整体调节。专利文献1特开平11-195667号公报。近年来，在半导体集成电路晶片全面上形成柱电极后，在半导体集成电路晶片的全面形成密封材料，用该密封材料充填全部柱电极进行封装，此后，通过切块在各半导体集成电路元件进行分离，开发了所谓晶片级封装(WLP)。该晶片级封装，在半导体集成电路晶片上使密封材料成膜，为了柱电极的上表面露出和密封材料的平坦化，进行研磨后，向各柱电极上表面的焊料印刷、焊料球装载、向封装背面的按印等，都是在柱电极形成后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，其特征是具有：半导体衬底，具有多个半导体元件形成区域、及平面尺寸与上述半导体元件形成区域相同的调整标记形成区域；多个柱电极，形成在上述各半导体元件形成区域内；及调整用柱电极，形成在上述调整标记形成区域 ，个数少于在上述各半导体元件形成区域形成的柱电极。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-26 2003-147448;JP 2003-9-12 2003-3205811.一种半导体元件，其特征是具有半导体衬底，具有多个半导体元件形成区域、及平面尺寸与上述半导体元件形成区域相同的调整标记形成区域；多个柱电极，形成在上述各半导体元件形成区域内；及调整用柱电极，形成在上述调整标记形成区域，个数少于在上述各半导体元件形成区域形成的柱电极。2.如权利要求1记载的半导体元件，其特征是上述调整用柱电极的平面形状与上述柱电极的平面形状不同。3.如权利要求1记载的半导体元件，其特征是上述调整用柱电极的平面形状与上述柱电极的平面形状相同。4.如权利要求1记载的半导体元件，其特征是上述半导体衬底还在上述调整标记形成区域周围具有多个非半导体元件形成区域，上述非半导体元件形成区域具有与上述半导体元件形成区域相同的平面尺寸，且没有柱电极。5.如权利要求1记载的半导体元件，其特征是在上述调整标记形成区域形成的调整用柱电极是多个。6.如权利要求5记载的半导体元件，其特征是上述调整用柱电极，由平面形状相互不同的多种类构成。7.如权利要求6记载的半导体元件，其特征是上述调整用柱电极，具有用于进行暂时定位的暂时调整用柱电极、以及用于进行正式定位的正式调整用柱电极。8.如权利要求1记载的半导体元件，其特征是上述调整标记用柱电极是由上述半导体衬底的上表面平行的面切断的剖面形状一样的柱状。9.如权利要求1记载的半导体元件，其特征是上述半导体衬底，在包含位于至少一对对角线角部的两处在内的三处具有上述调整标记形成区域。10.一种半导体元件的制造方法，其特征是具有以下步骤准备半导体衬底，其具有分别形成多个柱电极的多个半导体元件形成区域、及平面尺寸与上述半导体元件形成区域相同且形成调整用柱电极的调整标记形成区域；在上述半导体衬底的上述多个半导体元件形成区域上和上述调整标记形成区域上，形成抗电镀膜；利用柱电极形成用的第1掩模，使在上述半导体衬底的上述多个半导体元件形成区域上和上述调整标记形成区域上形成的抗电镀膜曝光；利用调整用柱电极形成用的第2掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：胁坂伸治，伊藤智宏，横山茂，桑原治，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]