薄膜晶体管阵列板和包含该板的液晶显示器制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管阵列板，其包括：形成在基底上并包括多个倾斜部分和栅极的多个栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少形成在该半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；多个与数据线分开的漏极；至少形成在该半导体层部分上的第二绝缘层，该半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素电极的边缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板，更特别地，本专利技术涉及包括两种用于产生水平电场的场发生电极的薄膜晶体管阵列板。
技术介绍
美国专利No.5598285公开一种使用水平电场驱动液晶的现有技术。美国专利No.5598285中披露的液晶显示器(LCD)包括像素电极和用于产生水平电场的公共电极。所述LCD存在一个问题，即液晶分子的状态(behaviors)在像素的顶部和底部附近发生扭曲，在该处公共电极和与其相连用于传递公共信号的存储电极线彼此邻接。通过加宽黑矩阵能盖住所述扭曲，可是减小了孔径比。另外，存在一个问题，即用于对像素电极施加电压的数据线和像素电极或平行于数据线的公共电极之间的耦合使液晶驱动变形，从而引起光泄漏和串扰。该问题可以通过加宽与数据线相邻的公共电极予以解决，但其也降低孔径比。另外，因为公共电极和像素电极平行于数据线延伸，也就是，平行于由栅极线和数据线所限定的像素的长边延伸，所以难于增加电极的数量。
技术实现思路
提供一种薄膜晶体管，其包括多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少形成在所述半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；多个与数据线分隔的漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘分开的边缘，并基本平行于所述像素电极边缘。所述栅极线在像素区域的边缘附近可以是弯曲的。公共电极和像素电极可以基本平行于所述栅极线的倾斜部分延伸。所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个存储电极线，该电极线具有多个基本平行于数据线延伸的第一部分。所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个与存储电极重叠的信号线，从而形成存储电容。所述像素电极和公共电极包含透明材料。所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括在像素区中位于钝化层下方的多个彩色滤光片。提供一种液晶显示器，其包括第一基板；与第一基板相对的第二基板；以及在第一基板和第二基板之间插入的液晶层。第一基板包括多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少形成在所述半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；多个与数据线分开的漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分开的边缘，并基本平行于所述像素电极边缘。所述液晶显示器可进一步包括设置在第二基板周围并限制液晶层的密封材料。所述液晶显示器进一步包括位于密封材料中并用于定义显示图像的显示区域的阻光元件。所述阻光元件可以包括有机材料并通过光刻法构图。所述液晶显示器还进一步包括多个间隔物，其包括与阻光元件相同层。所述间隔物可具有和阻光元件不同的高度。所述阻光元件可以具有多个凹陷处。附图说明本专利技术通过结合附图详细说明实施例而变得更加清楚，其中 附图1为根据本专利技术实施例的LCD的平面示意图；附图2为附图1中所示LCD沿II-II′线的截面图；附图3为根据本专利技术实施例的LCD的TFT阵列板中像素的线路示意图；附图4为附图3中所示TFT阵列板沿IV-IV′线的截面图；附图5A、6A、7A、8A和9A为根据本专利技术实施例，附图3和4中所示TFT阵列板在其制造方法的中间步骤中的线路图；附图5B、6B、7B、8B和9B分别为附图5A、6A、7A、8A和9A中所示TFT阵列板沿VB-VB′、VIB-VIB′、VIIB-VIIB′、VIIIB-VIIIB′和IX-IX′线的截面图；附图10为根据本专利技术另一实施例的LCD的示例性TFT阵列板的截面图；附图11为根据本专利技术另一实施例的LCD的示例性TFT阵列板的截面图；附图12为根据本专利技术另一实施例的LCD的线路示意图；附图13和14分别为附图12中所示LCD相对板沿XIII-XIII′和XIV-XIV′线的截面图。具体实施例方式下面，结合附图更加充分地说明本专利技术，所述附图示出本专利技术的优选实施例。可是，本专利技术可以用多种不同的形式来实现而不应当理解为受限于在此所阐述的实施例。在附图中，层、薄膜以及区域的厚度为了说明清楚而被夸大。相同的附图标记在全文中表示相同的元件。应当理解，当诸如涂层、薄膜、区域或基底的元件涉及被置于另一元件“上”时，其可能被直接置于其他元件上面或插入到元件之间。相反，当元件涉及在另一元件的“径直上方”时，不存在插入到元件之间的情况。现在，参照附图说明根据本专利技术实施例的液晶显示器(LCDs)和薄膜晶体管(TFT)阵列板。参照附图1和2详细说明根据本专利技术实施例的LCD。附图1为根据本专利技术实施例的LCD的平面示意图，以及附图2为附图1中所示LCD沿II-II′线的截面图。参照附图1和2，根据本专利技术实施例的LCD包括相对设置并在其之间设置有间隙的下基板100和上基板200，被填充到下基板100和上基板200之间所述的间隙中的液晶层300，所述液晶层包括许多基本平行于基板100和200表面排列的液晶分子，被设置在下基板100和上基板200之间并封存液晶层的密封材料400，以及设置在密封材料400中的阻光层500(称作“黑矩阵”)，其限定显示图像的显示区域并阻止在显示区域附近的光泄漏。阻光层500优选由有机材料制成并具有维持基板100和200之间间隙的间隔物功能。当制造LCD时，所述阻光层500和密封材料400被形成在上基板200，其也称作反面板，而在下基板100上形成多个信号线和多个TFT，而其也称作TFT阵列板。阻光层500和密封材料400之一或二者都可形成在TFT阵列板100上。详细地，多个栅极线和多个限定多个具有梯形像素区域的数据线设置在TFT阵列板100上，多个像素电极和公共电极相互平行设置。与公共电极相连的多个存储电极线平行于数据线延伸并延伸到像素区域的长边。液晶分子在没有电场的情况下，垂直于数据线和公共信号线排列，并且所述栅极线包括多个与数据线相交的横向部分以及多个平行于所述公共电极延伸的倾斜部分。首先，参照附图3和4说明根据本专利技术第一实施例的TFT阵列板。附图3为根据本专利技术实施例的LCD的TFT阵列板中像素的线路示意图，以及附图4为附图3中所示TFT阵列板沿IV-IV′线的截面图。参照附图3和4，在绝缘基底110上形成有多个栅极线121和多个存储电极线131，其与栅极线121分开。用于传送栅极信号的栅极线121基本沿横向延伸并彼此分离。每条栅极线121的多个部分形成栅极123，但栅极123可以从栅极线121分出。每个栅极线121包括多个倾斜部分和多个交替连接的横向部分。所述倾斜部分从左至右包括抬起部分和下落部分，所述抬起部分和下落部分在纵向和横向交替设置。每个栅极线121可以包括用于与其他层或外部设备相连接的端部(未示出)。栅极123可以从栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列板，包括：多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的半导体层；至少形成在半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的多个数据线；与所述数据线分开的多个漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；　多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素边缘。

【技术特征摘要】
KR 2003-5-30 0034677/031.一种薄膜晶体管阵列板，包括多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的半导体层；至少形成在半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的多个数据线；与所述数据线分开的多个漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素边缘。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述栅极线在靠近像素区域的边缘处弯曲。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中公共电极和像素电极基本平行于所述栅极线的倾斜部分延伸。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其特征在于，它进一步包括多个存储电极线，其具有多个基本平行于数据线延伸的第一部分。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列板，其特征在于，它进一步包括多个与存储电极线重叠的信号线，从而形成存储电容。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述像素电极和公共电极包括透明材料。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中进一步包括在像素区域中位...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昶勋，金兑奂，韩银姬，仓学璇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]