薄膜晶体管阵列板和包含该板的液晶显示器制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管阵列板，其包括：形成在基底上并包括多个倾斜部分和栅极的多个栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少形成在该半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；多个与数据线分开的漏极；至少形成在该半导体层部分上的第二绝缘层，该半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素电极的边缘。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板，更特别地，本专利技术涉及包括两种用于产生水平电场的场发生电极的薄膜晶体管阵列板。
技术介绍
美国专利No.5598285公开一种使用水平电场驱动液晶的现有技术。美国专利No.5598285中披露的液晶显示器(LCD)包括像素电极和用于产生水平电场的公共电极。所述LCD存在一个问题，即液晶分子的状态(behaviors)在像素的顶部和底部附近发生扭曲，在该处公共电极和与其相连用于传递公共信号的存储电极线彼此邻接。通过加宽黑矩阵能盖住所述扭曲，可是减小了孔径比。另外，存在一个问题，即用于对像素电极施加电压的数据线和像素电极或平行于数据线的公共电极之间的耦合使液晶驱动变形，从而引起光泄漏和串扰。该问题可以通过加宽与数据线相邻的公共电极予以解决，但其也降低孔径比。另外，因为公共电极和像素电极平行于数据线延伸，也就是，平行于由栅极线和数据线所限定的像素的长边延伸，所以难于增加电极的数量。
技术实现思路
提供一种薄膜晶体管，其包括多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列板，包括：多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的半导体层；至少形成在半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的多个数据线；与所述数据线分开的多个漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；　多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素边缘。

【技术特征摘要】
KR 2003-5-30 0034677/031.一种薄膜晶体管阵列板，包括多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的半导体层；至少形成在半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的多个数据线；与所述数据线分开的多个漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素边缘。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述栅极线在靠近像素区域的边缘处弯曲。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中公共电极和像素电极基本平行于所述栅极线的倾斜部分延伸。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其特征在于，它进一步包括多个存储电极线，其具有多个基本平行于数据线延伸的第一部分。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列板，其特征在于，它进一步包括多个与存储电极线重叠的信号线，从而形成存储电容。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述像素电极和公共电极包括透明材料。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中进一步包括在像素区域中位...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昶勋，金兑奂，韩银姬，仓学璇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]