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本发明涉及半导体元件及其制造方法。在进行用于形成柱电极的抗电镀膜的曝光时，首先，利用柱电极形成用第１曝光掩模（２４），对半导体元件形成区域（２１）和调整标记形成区域（２２）进行分步曝光。然后，利用调整用柱电极形成用的第２曝光掩模（２５），仅...
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