【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固体有机金属化合物的填充容器及其填充方法。更详细地说涉及能将在制造化合物半导体等电子工业用材料时使用的有机金属化学蒸镀(Metalorganic Chemical Vapor Deposition,以下简称为“MOCVD”)法等的作为气相外延成长用的材料的固体有机金属化合物长时间以一定浓度稳定地供给气相外延成长装置的填充容器和固体有机金属化合物的填充方法。
技术介绍
有机金属化合物作为制造电子工业用材料时的原料正被广泛使用。作为使用有机金属化合物的电子工业用材料的制造方法,近年来MOCVD法等的气相外延成长正被大量应用。例如,用MOCVD法制造化合物半导体的薄膜,此时将三甲基铝、三甲基镓、三甲基铟等有机金属化合物用为原料。用MOCVD法使用这些有机金属化合物时,在该金属化合物使用的条件中,在固体情况下,通常使用如下方法,即将有机金属化合物填充到备有图15所示的载体气体导入口(2a)和载体气体排出口(3a)的填充容器A中,将氢气等载体气体从载体气体导入口(2a)导入容器内,从载体气体排出口(3a)取出有机金属化合物,作为在载体气体中饱和了的气体,供 ...
【技术保护点】
一种固体有机金属化合物用填充容器,具有载体气体导入口和载体气体排出口,其特征在于,具有将填充容器内部分隔成多个纵形空间,从载体气体导入口导入的载体气体沿各纵形空间流通,从载体气体排出口排出的结构。
【技术特征摘要】
JP 2003-7-8 271742/031.一种固体有机金属化合物用填充容器,具有载体气体导入口和载体气体排出口,其特征在于,具有将填充容器内部分隔成多个纵形空间,从载体气体导入口导入的载体气体沿各纵形空间流通,从载体气体排出口排出的结构。2.一种固体有机金属化合物用填充容器,其特征在于,(a)用至少一个以上的隔壁将填充容器内部沿纵向分隔,成为填充容器内部至少被分隔为2个以上的空间的结构;(b)在用隔壁分隔而成的填充容器内部的空间,具有具备载体气体导入口的空间和具备载体气体排出口的空间;(c)在填充容器内部的隔壁中具有具备开口部的隔壁,所说的开口部用以使载体气体从载体气体导入口通过填充容器内的各空间向载体气体排出口流通...
【专利技术属性】
技术研发人员:富安静夫,德留功一,羽贺健一,
申请(专利权)人:东曹精细化工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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