【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻装置和一种制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是将想要的图案施加到基底、通常是基底的靶部上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。这种情况下,采用构图装置(或者称为掩模或中间掩模版)来产生形成于IC各层的电路图案。该图案可以转印到基底(硅片)的靶部(例如包括一个或者数个管芯的一部分)。这种图案的转印一般是通过在涂敷了辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底上成像而实现的。一般的,单个基底包含由相继图案化的相邻靶部构成的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描装置。前者通过将整个图案一次性曝光在靶部上而使每个靶部受到辐射,后者通过在投射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底而使每个靶部受到辐射。也可以通过将图案压印到基底上实现图案从构图装置到基底的转印。有人提出,将光刻投影装置的基底浸在具有较高折射率的液体如水中,以便基底和投影系统最后元件之间的空间充满液体。这使得更小部件能够成像,因为曝光辐射在液体中波长会变得更短。(也可以认为液体起到了增大系统有效数值孔径(NA)和聚焦深度的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻装置,它包括-照明系统,构造成调整辐射光束;-支承结构,构造成支承构图装置,该构图装置能够把图案赋予辐射光束的横截面,以形成图案化的辐射光束;-基底台,构造成保持基底;-投影系统,构造成将图案化的辐射光束投影到基底靶部;和-液体供给系统,用于至少部分地对所述投影系统最后元件和所述基底之间的空间填充液体,其特征在于,所述液体供给系统包括温度控制器,用于将所述投影系统的所述最后元件、所述基底和所述液体这三者的温度调整到接近公共靶部温度。2.一种如权利要求1所述的光刻投影装置,其中所述温度控制器包括液体流率调整装置,它调整液体流率使得所述公共靶部温度和所述投影系统最后元件、所述基底以及所述液体的温度之间的差别达到最优。3.一种如权利要求1或者2所述的光刻投影装置,其中所述温度控制器包括液体温度调整装置,它调整液体温度使得所述公共靶部温度和所述投影系统最后元件、所述基底以及所述液体的温度之间的差别达到最优。4.一种如上面任一权利要求所述的光刻投影装置,其中所述温度控制器包括PID控制器,它用于实现向着所述公共靶部温度有效地收敛。5.一种如上面任一权利要求所述的光刻投影装置,其中所述公共靶部温度设置在一预定值。6.一种光刻装置,它包括-照明系统,构造成调整辐射光束;-支承结构,构造成支承构图装置,该构图装置能够把图案赋予辐射光束的横截面,以形成图案化的辐射光束;-基底台,构造成保持基底;-投影系统,构造成将图案化的辐射光束投影到基底靶部;和-液体...
【专利技术属性】
技术研发人员:B·斯特里克,A·T·A·M·德克森,J·洛夫,K·西蒙,A·斯特拉艾杰,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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