微分电容器、差动天线元件和差动谐振器制造技术

在微分电容器１中，第一和第二电容１００３和１００４以相对于一垂直平面Ｂ－Ｂ′彼此离基本上对称的位置形成在半导体基底１０２０上，该微分电容器１还包括插入在半导体基底１０２０和下电极１０１６与１０１８之间的屏蔽板１０２２。当各下电极１０１６和１０１８沿垂直方向被投影到屏蔽葩１０２２上时，各被投影的下电极１０１６和１０１８与屏蔽板１０２２有部分的重叠。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微分电容器、差动天线元件和差动谐振器。更具体地说，本专利技术涉及在半导体基底上形成的微分电容器、差动天线元件和差动谐振器。
技术介绍
近年来，已经提出面向更小型化和较高频的半导体工艺技术，正因为这个原因，要在半导体上集成差动振荡电路已成为平常的事了。图17是说明通常使用差动振荡电路7的结构示意图。在图17中，该差动振荡电路7包括用于启动振荡的第一和第二晶体管1001和1002；用于组成微分电容器并截止DC(直流)分量的第一和第二电容器1003和1004；用于启动谐振的第一和第二可变电容器1005和1006；用于启动谐振的第一和第二电感器1007和1008；以及恒电流源1009。通过Vcc终端，把DC电流施加到这差动振荡电路7的第一第二电感器1007和1008。这DC电流施加到第一第二晶体管1001和1002，此后就流经恒电流源1009到地。连接第一晶体管使实现正反馈，并产生组成差动信号对的同相信号或反相信号中的任何一个信号，这信号具有根据第一可变电容器1005和第一电感器1007的电路常数的振荡频率。类似于第一晶体管1001工作的第二晶体管1002产生和反相信号分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括多个电容器的微分电容器，每个电容器都有沿垂直方向基本上互相平行的上电极和下电极，其特征在于：多个电容器中的任一个电容器，以离相对于垂直平面的多个电容器中的另一个电容器基本上对称的位置形成在半导体基底上，微分电容器还包 括插入在各下电极和半导体基底之间的屏蔽板，以及当各下电极沿垂直方向被投影到屏蔽板上时，各被投影的下电极与屏蔽板具有部分重叠。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-3 2003-1912671.一种包括多个电容器的微分电容器，每个电容器都有沿垂直方向基本上互相平行的上电极和下电极，其特征在于多个电容器中的任一个电容器，以离相对于垂直平面的多个电容器中的另一个电容器基本上对称的位置形成在半导底基底上，微分电容器还包括插入在各下电极和半导体基底之间的屏蔽板，以及当各下电极沿垂直方向被投影到屏蔽板上时，各被投影的下电极与屏蔽板具有部分重叠。2.根据权利要求1所述微分电容器，其特处在于，各被投影的下电极与屏蔽板的部分重叠总共占下电极面积的70％或更多。3.根据权利要求2所述的微分电容器，其特征在于，各被投影的下电极在屏蔽板的外侧延伸。4.根据权利要求2所述的微分电容器，其特征在于，屏蔽板具有形成在其中的细长裂口。5.根据权利要求4所述的微分电容器，其特征在于，该细长裂口与该垂直平面相交。6.根据权利要求2所述的微分电容器，其特征在于，该屏蔽板具有形成在其中的多个贯穿小孔。7.根据权利要求6所述的微分电容器，其特征在于，该多个贯穿小孔以基本上相等的间隔沿两个预定的方向配置，以及多个贯穿小孔毗邻的小孔之间的间距基本上等于一整数乘以经屏蔽板传播的驻波的1/2波长。8.根据权利要求7所述的微分电容器，其特征在于，从屏蔽板的两预定侧边到该垂直平面的长度基本上等于驻波1/2波长的整数倍和1/4驻波长之和。9.根据权利要求1所述的微分电容器，其特征在于，在多个电容器之间，任何两个彼此毗邻的电容器分别接收组成信号差动对的同相信号和反相信号。10.根据权利要求1所述的微分电容器，其特征在于，该屏蔽板通过电感器和/或电阻器接地。11.根据权利要求1所述的微分电容器，其特征在于，与该垂直平面相交的一部分屏蔽板是接地的。12.根据权利要求1所述供可变电容电路之用的微分电容器，其特征在于，至少一个要可变电容器被连接到各上电极或至少一个可变电容器被连接到各下电极。13.根据权利要求12所述的微分电容器，其特征在于，各被投影的下电极与屏蔽板部分重叠的面积根据可变电容电路的电容变化率和各电容器的品质因数来决定。14.根据权利要求1所述的微分电容器，其特征在于，所述的微分电容器用于差动振荡电路中。15.根据权利要求1所述的用于开关电路中的微分电容器，其特征在于，至少一个开关元件被连接到各第一下电极和第二下电极。16.根据权利要求15所述的微分电容器，其特征在于，其中各被投影的下电极与屏蔽板部分重叠的面积根据当该开关电路被关断时的隔离和各电容器的品质因数来决定。17.根据权利要求1所述的微分电容器，其特征在于，所述的微分电容器用于微分开关电路。18.根据权利要求1所述的微分电容器，其特征在于，多个电容器中的第一个以离相对于该垂直平面的多个电容器中的一个基本对称的位置形成在半导体基底上，多个电容器中的第二个以离相对于位于与该垂直平面垂直的另一垂直平面的该一个电容器的基本对称的位置形成在半导体基底上，以及多个电容器的第三个以离相对于在该垂直平面和该另一垂直平面之间的相交线的该一个电容器的基本对称的位置形成在半导体基底上。19.根据权利要求18所述的微...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷俊文，足立寿史，中西佳代，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]