体电容器和方法技术

一种体电容器包括由金属箔形成的第一电极（12）以及形成于金属箔上的半导电多孔陶瓷体（18）。例如通过氧化在多孔陶瓷体上形成电介质层（22）。在多孔陶瓷体上沉积导电介质（16），填充多孔陶瓷体的空隙并形成第二电极。然后可以利用各层封装电容器，且电容器能够包括常规电气端子。一种制造体电容器的方法包括：在由金属箔形成的第一电极上形成导电多孔陶瓷体，氧化以形成电介质层并利用导电介质填充多孔体以形成第二电极。还可以在所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间沉积薄的半导电陶瓷层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容器。更具体而言，本专利技术涉及一种能够实现高电容密度的电容器。
技术介绍
用于生产电容器(包括电解电容器和陶瓷电容器)的技术正在被推进到其实际物理极限。传统上，通过高表面面积实现高电容密度，例如在钽电解电容器或碳双层电容器中。或者，如在多层陶瓷电容器中使用的那样，可以通过薄的高介电常数(K)电介质材料来实现高电容密度。尽管有这些进展，仍然还有问题。具体而言，对高电容密度的需求不断增 力口，超过了与这样的方法相关联的极限。高电容密度是制造更小电子器件高度希望有的特征。需要一种能够实现高电容密度的电容器。因此，这里公开的实施例的目的、特征或优点是提供一种能够实现高电容密度的电容器和制造电容器的方法。从以下说明书和权利要求，这些方面中的一个或多个将变得显而易见。
技术实现思路
根据这里公开的实施例的一个方面，一种体电容器包括金属箔，所述金属箔上的半导电多孔陶瓷体，所述多孔陶瓷体上的电介质层(例如，通过氧化形成)，填充所述多孔体的导电介质，以及封装所述多孔体的导电金属层。根据本专利技术的另一方面，提供了一种制造体电容器的方法，包括在金属箔上形成半导电多孔陶瓷体，氧化所述半导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种体电容器，包括：由金属箔形成的第一电极，沉积在所述金属箔上的半导电多孔陶瓷体，形成于所述多孔陶瓷体上的电介质层，以及覆盖所述电介质层的导电介质，所述导电介质填充多孔陶瓷体的至少一部分并且形成第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R·卡特拉奥，N·科亨，M·克拉夫契克沃尔夫松，E·别尔莎德斯基，J·巴尔蒂图德，
申请(专利权)人：维莎斯普拉格公司，
类型：发明
国别省市：