导电性高分子、其合成用氧化剂及固体电容器制造技术

技术编号:8732874 阅读:242 留言:0更新日期:2013-05-26 10:57
本发明专利技术提供了一种导电性高分子合成用氧化剂溶液,该导电性高分子合成用氧化剂溶液可以与聚合性单体混合,用于含浸电容器芯包,反应生成导电性高分子,用于生产高性能的固态电解电容器。其包括:磺酸铁盐、添加剂与溶剂,所述溶剂为低级醇,所述低级醇选自碳原子数为1~4的一元醇中的一种或多种,所述添加剂包括咪唑类有机碱或吡唑类有机碱。本发明专利技术利用咪唑类有机碱添加剂与三价铁离子形成温和络合物,在室温时起到掩蔽三价铁离子的作用,降低反应液中三价铁离子的有效浓度,延长聚合反应时间,非常有利于固态电解电容器芯包充分含浸;同时,络合物会不断解离出三价铁离子用于聚合,做到了控制反应速度且不显著影响反应比例。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固体电解电容器,与作为固体电解电容器电解质使用的导电性高分子,以及合成导电性高分子所使用的氧化剂溶液。
技术介绍
目前,用于聚合导电高分子的氧化剂主要为烷基芳香族磺酸铁盐类,其用于聚合如吡咯、苯胺、噻吩类等单体具有很好的效果,所得到的导电高分子被广泛应用于固态电解电容器、防静电涂层、LED、印刷电路板等领域。尤其是用对甲基苯磺酸铁氧化聚合3,4-乙撑二氧噻吩(EDOT)得到的PED0T,因其高导电性、高稳定性等优点,倍受业界重视。但是,烷基芳香族磺酸铁盐与EDOT聚合反应速度太快,不利于电容器芯包在氧化剂和单体的混合溶液中直接含浸。为得到电化学性能优良的导电高分子,通常将电容器芯包在氧化剂和单体中分别含浸,并反复含浸几次。EDOT聚合速度过快,不利于PEDOT结晶,造成聚合物松散,结构规整性差,不利于提高电导率。美国专利US4910645中使用大量的溶剂稀释导电高分子单体,使单体浓度低于10wt%,可将电容器芯包在氧化剂和单体的混合溶液中直接含浸,实现原位聚合,但只能得到很少量的导电高分子聚合物,需反复含浸16次才能产生足够的导电高分子聚合物,这样电容器的制造工艺会非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电性高分子合成用氧化剂溶液,包括:磺酸铁盐、添加剂与溶剂,所述溶剂为低级醇,所述低级醇选自碳原子数为1~4的一元醇中的一种或多种,所述添加剂包括咪唑类有机碱或吡唑类有机碱。

【技术特征摘要】
1.一种导电性高分子合成用氧化剂溶液,包括:磺酸铁盐、添加剂与溶剂,所述溶剂为低级醇,所述低级醇选自碳原子数为I 4的一元醇中的一种或多种,所述添加剂包括咪唑类有机碱或吡唑类有机碱。2.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液,其特征在于,所述导电性闻分子合成用氧化剂溶液中,铁尚子与有机碱的质量比为1:0.02 0.2。3.根据权利要求2所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液,其特征在于,所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中,铁离子与有机碱的质量比为1:0.04 0.1。4.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液,其特征在于,所述磺酸铁盐为对甲基苯磺酸铁。5.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液,其特征在于,所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中,铁与磺酸根的摩尔比为:1:2.0 4.0。6.根据权利要求5所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液,其特征在于,所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中,铁与磺酸根的摩尔比为:1:2.5 3.8。7.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液,其特征在于,所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中,磺酸铁盐的质量浓度为10% 75%。8.根据权利要求7所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液,其特征在于,所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中,磺酸铁盐的质量浓度为40% 60%。9.一种导电性高分子,其特征在于,所述导电性高分子是采用权利要求1至8任意一...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑仲天钟玲李兵陈长春
申请(专利权)人:深圳新宙邦科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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