8,9-二氢苯并[def]咔唑的聚合物及其作为有机半导体的用途制造技术

本发明专利技术涉及包含8,9-二氢苯并[def]咔唑单元的新型聚合物、用于它们制备的方法和材料、它们在有机电子(OE)器件中作为半导体的用途，和包含这些聚合物的OE器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含8，9-ニ氢苯并[def]咔唑单元的新型聚合物、用于它们制备的方法和材料、它们在有机电子(OE)器件中作为半导体的用途，和包含这些聚合物的OE器件。
技术介绍
近年来，已经开发了有机半导体(OSC)材料以生产更为多用途、更低成本的电子器件。这样的材料在宽范围的器件或仪器方面得到应用，包括有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)、光检测器、有机光电(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路，不胜枚挙。有机半导体材料一般以薄层，例如小于I微米厚的薄层的形式存在于电子器件中。OFET器件的性能原则上基于半导体材料的载流子迁移率和电流开/关比，因此理想的半导体应当在断路状态具有低导电率，并结合有高载流子迁移率(>1X10_3 cm2I1s-1)。此外，重要的是半导体材料对于氧化相对稳定，即其具有高电离电势，因为氧化导致降低的器件性能。·为了在体异质结(BHJ)有机光电(OPV)电池中应用，需要具有低带隙以使得能够通过光活性层获得改善的光捕捉性的半导体，这可以得到更高的电池效率。对于半导体更进ー步的要求是好的溶液加工性能，特别是对于薄层和所期望图案的大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.24 EP 10003115.21.I的聚合物2.据权利要求1的聚合物，其选自式Ia3.据权利要求1或2的聚合物，其中R是H或者表示具有I到30个C原子的伯的烷基或烷氧基，具有3到30个C原子的仲的烷基或烷氧基，或者具有4到30个C原子的叔的烷基或烷氧基，其中在所有这些基团中ー个或多个H原子任选地由F代替。4.据权利要求1或2的聚合物，其中R是-CO-Ry、-CO-O-Ry或-O-CO-Ry,其中Ry是具有I到30个C原子的直链、支化或环状的烷基，其中ー个或多个不相邻的C原子任选地被-O-、-S-、-CO-、-C0-0-, -0-C0-, -0-C0-0-, -CR0=CR00-或-C = C-代替和其中一个或多个H原子任选地被F、Cl、Br、I或CN代替，或者Ry是未取代或者由一个或多个如权利要求1中定义的非芳族基团R1取代的具有2到30个C原子的芳基或杂芳基。5.据权利要求1一 4的一项或多项的聚合物，其中Ar是式III的単元-Ar1-Ar3-Ar2-111 其中Ar1和Ar2彼此独立地选自下式和它们的镜像:6.据权利要求5的聚合物，其中式III的単元选自式IIIa7.据权利要求1一 6的一项或多项的聚合物，其中Ar选自:硒吩-2，5-ニ基、噻吩-2，5- ニ基、噻吩并[3，2-b]噻吩-2，5- ニ基、噻吩并[2，3-b]噻吩-2，5- ニ基、硒吩并[3，2-b]硒吩-2，5- ニ基、硒吩并[2，3-b]硒吩-2，5- ニ基、硒吩并[3，2-b]噻吩-2，5- ニ基、硒吩并[2，3-b]噻吩-2，5- ニ基、苯并[I, 2-b:4, 5-b’ ] ニ噻吩-2，6- ニ基、2，2- ニ噻吩、2，2- ニ硒吩、ニ噻吩并[3，2- b:2，，3，-d]噻咯-5，5- ニ基、4H-环五[2，l-b:3, 4_b’ ]ニ噻吩-2，6-ニ基、2，7- ニ噻吩-2-基咔唑、2，7- ニ噻吩_2_基芴、茚满并[I, 2-b: 5, 6_b’ ]ニ噻吩-2，7-ニ 基、苯并[1〃，2〃:4，5:4〃，5〃:4’，5’]双(噻咯基[3，2_b: 3’，2’_b’]噻吩)-2，7- ニ基、2，7- ニ噻吩-2-基茚满并[I, 2-b:5, 6_b’ ] ニ噻吩、2，7- ニ噻吩-2-基苯并[1，2:4，5:4，5:4，，5，]双(噻咯基[3，2_b:3’，2’_b’]噻吩)-2，7-ニ基、2，7-ニ噻吩-2-基菲并[I, 10，9，8-c，d，e，f，g]咔唑、4，7- ニ噻吩-2-基苯并[2，I, 3]噻ニ唑、4，7- ニ噻吩-2-基苯并[2，I, 3]硒ニ唑、4，7- ニ噻吩-2-基苯并[2，I, 3]噁ニ唑、4，7- ニ噻吩-2-基2H-苯并三唑、3，4- ニ氟噻吩-2，5- ニ基、噻吩并[3，4_b]吡嗪-2，5- ニ基、2，5- ニ噻吩-2-基噻吩并[3，4-b]吡嗪、5，8- ニ...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·布鲁因，W·密特彻，王常胜，S·提尔奈，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：
国别省市：