【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及材料处理，尤其涉及电子、光学或光电基片。更确切地，本专利技术涉及一种用于自动高精度切割材料层的设备，该材料层通过脆化区域而结合在源基片上，该源基片和被切割材料层形成被切割工件，所述设备包括切割装置和用于保持被切割工件的位置的装置。注意，本文中的“切割”一词是指将单个零件或组件分割成两个分离部分，并保证所述分离部分不重新结合的操作。下面将看到，在脆化区域进行的这种切割包含在本专利技术的框架内。本专利技术还涉及一种用于自动高精度切割材料层的方法，该材料层通过脆化区域而结合在源基片上，该源基片和被切割材料层形成被切割工件，所述方法包括将被切割工件相对于保持装置定位；由切割装置切割材料层。注意，本专利技术特别适合于切割小于大约100微米厚的材料层，尤其是切割大约1微米厚的所谓的“薄”材料层。上述的设备和方法被用来建立可能被转换到源基片上的材料层(薄的或不薄的)，从源基片处该材料层被剥下而形成“对象载体”。基片通常采用被称为“晶片”的盘片形状。晶片可以由半导体材料，例如硅制成。已知脆化区域可以沿平行于晶片的主表面形成于晶片的内侧。脆化区域可以由轰击...
【技术保护点】
一种用于自动高精度切割材料层（２０１）的设备（１０，５０），所述材料层通过脆化区域（２０２）而结合在源基片上，所述源基片和被切割材料层形成被切割工件，所述设备包括切割装置（１３０，５３０，５３１，５３２）和用于保持被切割工件的位置的装置（１１０，５１０），其特征在于，所述切割装置包括用于切入被切割工件中的刀片。
【技术特征摘要】
FR 2001-4-10 0104937;FR 2001-10-29 01139511.一种用于自动高精度切割材料层(201)的设备(10，50)，所述材料层通过脆化区域(202)而结合在源基片上，所述源基片和被切割材料层形成被切割工件，所述设备包括切割装置(130，530，531，532)和用于保持被切割工件的位置的装置(110，510)，其特征在于，所述切割装置包括用于切入被切割工件中的刀片。2.根据权利要求1的设备，其特征在于，所述保持装置包括定位板。3.根据权利要求2的设备，其特征在于，所述定位板被固定装配。4.根据权利要求1至3中任一所述的设备，其特征在于，所述刀片是可移动的。5.根据权利要求1至4中任一所述的设备，其特征在于，所述保持装置被这样设置，即被切割工件的一侧与保持装置接触而被止动，所述一侧与被切割工件被刀片切入的一侧相反。6.根据前面权利要求中任一所述的设备，其特征在于，所述保持装置包括定位板组件。7.根据前一权利要求所述的设备，其特征在于，所述保持装置包括单一的定位板(110，510)。8.根据权利要求6或7所述的设备，其特征在于，当所述刀片开始切入被切割工件时，所述保持装置自适应地将被切割工件的位置只保持在刀片的切割平面上，而所述被切割工件在垂直于所述切割平面的方向上不受约束。9.根据前面权利要求中任一所述的设备，其特征在于，所述刀片与刀片位置调节装置一起沿垂直于切割平面的方向操作，使刀片处于接近切割工件的脆化区域处。10.根据前面权利要求中任一所述的设备，其特征在于，所述刀片具有大约为60度的顶角。11.根据前面权利要求中任一所述的设备，其特征在于，所述刀片被安装在自动移动装置上。12.根据前一权利要求所述的设备，其特征在于，所述自动移动装置控制刀片在切割平面内的平移。13.根据前一权利要求所述的设备，其特征在于，所述被控制的平移是匀速平移。14.根据前面权利要求中任一所述的设备，其特征在于，所述刀片的前刃具有与被切割工件的轮廓相对应的圆形轮廓。15.根据前一权利要求所述的设备，其特征在于，所述刀片的前刃包围被切割工件的周边的四分之一。16.根据前面权利要求中任一所述的设备，其特征在于，所述切割装置包括第一切割装置(530)和第二切割装置(531，532)。17.根据前一权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：米里埃尔马蒂内，蒂埃里巴尔热，阿兰苏比，克里斯特勒拉加赫布朗夏尔，奥利维耶雷萨克，塞西尔贝尔内，
申请(专利权)人：硅绝缘技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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