【技术实现步骤摘要】
本专利技术，是涉及处理室内，由等离子激起的化学气相成长法进行的等离子处理、干蚀刻或者是湿蚀刻等的同时，等离子清理处理室内的等离子处理装置及其等离子清理方法。
技术介绍
以前，利用等离子制成半导体膜的等离子激起化学气相成长法(Chemi-cal Vapor Deposition，以下简称为等离子CVD法)，已为所知。在此，参照图28、图29说明以前的平行平板型等离子处理装置用等离子CVD法进行被处理基板上的成膜。平行平板型等离子处理装置，包括作为真空容器的处理室5；该处理室5的内部，平行配置的两枚导体板的电极2a、2b。上述电极2a、2b，如图29所示，是由在处理室内设置的电极支撑部分22上固定支撑的阴极电极2a，以及相对于该阴极电极2a，在其上方对面设置的阳极电极2b构成的。在阴极电极2a中，连接着为发生等离子11的施加电压的电源电路1。作为电源电路1，一般适用通常频率为13.56MHz的高频电能等。另一方面，阳极电极2b接地(与地电连接)。在阳极电极2b的下面，安装着作为处理对象的硅或者是玻璃等的被处理衬底4。在阴极电极2a中，形成着复数个气体导入孔6。并且...
【技术保护点】
一种等离子处理装置，其特征为：是在包括：处理室；设置在上述处理室内的，支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内面对上述衬底支撑部分设置的，具有产生等离子的复数个放电电极的复合电极；的等离子处理装置 中，还包括：增大或减小形成在上述处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器；通过上述等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子，等离子清洗上述处理室内部的清洗器。
【技术特征摘要】
JP 2003-7-30 283083/03;JP 2004-6-9 171598/041.一种等离子处理装置，其特征为是在包括处理室；设置在上述处理室内的，支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内面对上述衬底支撑部分设置的，具有产生等离子的复数个放电电极的复合电极；的等离子处理装置中，还包括增大或减小形成在上述处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器；通过上述等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子，等离子清洗上述处理室内部的清洗器。2.根据权利要求1所涉及的等离子处理装置，其特征为上述清洗器，包括将为等离子清洗处理室内部的反应气体提供给该处理室的反应气体提供器；上述等离子区域增减器，是由控制通过上述反应气体提供器提供了反应气体的处理室内的压力的压力控制机构构成。3.根据权利要求2所涉及的等离子处理装置，其特征为上述压力控制机构，为增减处理室内的压力使其变化的构成。4.根据权利要求2所涉及的等离子处理装置，其特征为上述压力控制机构，控制处理室内的压力使其保持所规定的第1压力的时间比保持低于第1压力的第2压力的时间长。5.根据权利要求1所涉及的等离子处理装置，其特征为上述衬底支撑部分，作为电极构成；上述等离子区域增减器，是由将上述衬底支撑部分及各放电电极的电压施加状态，切换为使放电电极之间生成等离子的第1施加状态、或者是使放电电极之间生成等离子的第2施加状态的切换机构构成。6.根据权利要求5所涉及的等离子处理装置，其特征为上述切换机构，为将上述电压施加状态，交替切换为上述第1施加状态、或者是上述第2施加状态的构成。7.根据权利要求5所涉及的等离子处理装置，其特征为上述切换机构，切换上述电压施加状态，使其保持上述第1施加状态的期间能够比保持上述第2施加状态的期间长。8.根据权利要求1所涉及的等离子处理装置，其特征为上述等离子区域增减器，由调整上述衬底支撑部分与上述复合电极之间的间隔的调整机构构成。9.根据权利要求1所涉及的等离子处理装置，其特征为上述复合电极，为相对于处理室可装卸的构成。10.根据权利要求1所涉及的等离子处理装置，其特征为上述复合电极，包括绝缘上述复数个放电电极之间的电极间绝缘部分；上述放电电极，由交替排列配置的第1电极及第2电极构成。11.根据权利要求10所涉及的等离子处理装置，其特征为上述第1电极及第2电极，形成为相互平行延伸的线条状。12.根据权利要求1所涉及的等离子处理装置，其特征为上述复合电极，包括第1电极；比该第1电极更接近于被处理衬底设置的第2电极；上述第1电极及第2电极，只使从上述被处理衬底的法线方向可视面具有等离子放电面的功能。13.根据权利要求12所涉及的等离子处理装置，其特征为上述第1电极及第2电极，形成为相互平行延伸的线条状。14.根据权利要求1所涉及的等离子处理装置，其特征为施加在上述复合电极上的电压频率，在100KHz以上且在300MHz以下。15.一种等离子处理装置，其特征为包括处理室；设置在上述处理室内部支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内部与上述衬底支撑部分对面设...
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