【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于化学机械研磨半导体晶圆的终点检测,更明确地说,专利技术是关于化学机械研磨制程的过度研磨(over-polish)的时间控制。
技术介绍
在半导体工业中,化学机械研磨(CMP)是用以藉由对着一研磨垫旋转一半导体晶圆,而选择地自该晶圆去除部分的薄膜。薄膜的过度研磨(去除太多)或不够研磨(去除太少)将导致晶圆的刮伤或重作,这将造成很昂贵的成本。因此,在本技术中,有必要在线上直接监视CMP制程并精确地决定总研磨时间。其中一种方法为采用了一终点检测(EPD)系统。同时,为了针对膜及CMP制程中的不均匀事件,有人采用了过度研磨的步骤。因此,发展出两种决定过度研磨时间的方法。第一种为固定时间法,当进行该研磨方法时,将该过度研磨时间设定为固定时间,而不管该终点检测时间为多长。因为在CMP的过度研磨后的剩余膜均匀度是关系于EPD时间,所以此并不是设定过度研磨时间的一正确方法。另一种则为所谓EPD百分比法,该方法将过度研磨时间直接成比例于EPD时间。然而,此方法仍为过度简化。同时,在例如浅沟渠绝缘(STI)的化学机械研磨的应用中,这种过度研磨时间的决定方法会造成错 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种决定过度研磨时间的方法,包含步骤有将予以研磨的多个特性送入化学机械研磨系统中,进行研磨以取得各别的过度研磨时间与终点检测时间;相关所得过度研磨时间与终点检测时间,推导出一最佳化公式,并且,将该最佳化公式存入该化学机械研磨系统中;及将所予进行研磨之特性的厚度输入,即可取得精确的过度研磨时间。2.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈国庆,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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