在绝缘膜上形成凹状图形的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法。在含有Ｓｉ、Ｏ和Ｃ的层间绝缘膜上形成多个贯通孔时，形成包括多个贯通孔的贯通孔群，和在孤立贯通孔的周围形成多个虚设贯通孔。和／或提高蚀刻气体中的含氮气体的含量。此外，使用含有Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］的蚀刻气体，和不含Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］的蚀刻气体依次进行蚀刻。和／或将下述式（１）定义的蚀刻气体中的碳含有率做成为５％以下。ｐ＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００…（１）；其中，Ｘ表示氟代烃Ｃ↓［Ｘ］Ｆ↓［Ｙ］中的碳组成比；Ｑ表示蚀刻气体的全流量；Ｑｃ表示氟代烃Ｃ↓［Ｘ］Ｆ↓［Ｙ］的流量。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及其制造方法，特别是涉及在绝缘膜上形成多个凹状图形的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
近些年来，多层布线的微细化作为对半导体装置高速动作和抑制制造成本这些课题的一个解决方案正在进行。同时，伴随着布线的电阻和布线间的电容的增大，布线延迟(RC延迟)的问题已表面化，左右了半导体装置的动作速度。于是，以下对策广泛为人所知为了降低布线的电阻，就要使用布线材料铜(Cu)，或者，为了减小布线间的电容，就要将介电系数比现有的SiO2低的低介电常数材料用做绝缘膜。SiOC或MSQ(含甲基的硅酸盐Methyl Silsesquioxane)等作为这样的低介电系数材料得到研究。这些材料作为被期待为可以搬用现有的SiO2技术，易于处理的材料正在进行着开发。但是，在SiO2膜上形成贯通孔时，如果想要使用目前作为蚀刻气体使用的氟代烃系的气体在SiOC膜上形成贯通孔，则归因于膜的特性的不同，常常会产生在SiO2膜上产生不了贯通孔的问题。例如，在特开2002-83798号公报中记载了如下内容如果用氟代烃系的气体进行SiOC膜的蚀刻，则在蚀刻途中出现蚀刻行进完全停止的现象。此外，还记载本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的多个凹状图形；在所述绝缘膜上形成、配置于所述多个凹状图形的周围的多个虚设的凹状图形。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-28 2003-305393;JP 2003-8-28 2003-305390;1.一种半导体装置，其特征在于，包括绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的多个凹状图形；在所述绝缘膜上形成、配置于所述多个凹状图形的周围的多个虚设的凹状图形。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个凹状图形块状地形成，所述虚设的凹状图形，沿着所述多个凹状图形的最外区域形成。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述虚设的凹状图形形成为比所述多个凹状图形的深度浅。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述虚设的凹状图形的纵横比形成为比所述多个凹状图形的纵横比低。5.一种半导体装置，其特征在于，包括绝缘膜；和在所述绝缘膜上形成的多个凹状图形，在所述多个凹状图形之内，将未被其它凹状图形围起来的凹状图形的开口宽度形成为与已被其它凹状图形围起来的凹状图形的开口宽度不同。6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括形成绝缘膜的工序；和在所述绝缘膜上形成多个凹状图形和多个虚设的凹状图形的工序，在形成所述凹状图形的工序中，所述多个虚设的凹状图形在所述多个凹状图形的周围形成。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述凹状图形的工序中，块状地形成所述多个凹状图形，沿着所述多个凹状图形的最外区域形成所述多个虚设的凹状图形。8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括形成绝缘膜的工序；和在所述绝缘膜上形成多个凹状图形的工序，在形成所述多个凹状图形的工序中，在所述多个凹状图形之内，把未被其它凹状图形围起来的凹状图形的开口宽度形成为与已被其它凹状图形围起来的凹状图形的开口宽度不同。9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括形成至少含有Si、O和C的绝缘膜的工序；和通过使用了含有含氮气体的蚀刻气体进行干法蚀刻，在所述绝缘膜上形成多个凹状图形的工序，所述蚀刻气体中的所述含氮气体的含量，按流量比算，在23％以上。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述含氮气体为N2。11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述蚀刻气体含有C4F6。12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括形成至少含有Si、O和C的绝缘膜的工序；借助于使用含有C4F6的第1蚀刻气...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥田道则，市桥由成，山冈义和，井上恭典，田中友子，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]