温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在含有Ｓｉ、Ｏ和Ｃ的层间绝缘膜上形成多个贯通孔时，形成包括多个贯通孔的贯通孔群，和在孤立贯通孔的周围形成多个虚设贯通孔。和／或提高蚀刻气体中的含氮气体的含量。此外，使用含有Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］的蚀刻气体...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。