提高快闪存储器元件中栅极耦合比的制造方法及结构技术

一种制造快闪存储器元件的方法，包括：　　　　提供一半导体底材；　　　　形成一栅极氧化层于该半导体底材上；　　　　形成一第一半导体层于该栅极氧化层上；　　　　形成一绝缘层于该第一半导体层上；　　　　移除部份该绝缘层以暴露出部份该第一半导体层；　　　　形成一半导体间隙壁于该暴露出的第一半导体层上与该绝缘层上；　　　　移除部份该半导体间隙壁以暴露出该绝缘层；　　　　移除该绝缘层以暴露出该第一半导体层，其中该半导体间隙壁突出于该第一半导体层的表面上；　　　　形成一绝缘堆叠结构于该第一半导体层与该半导体间隙壁上；及　　　　形成一第二半导体层于该绝缘堆叠结构上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种制造快闪存储器元件的方法及结构；特别是有关于一种制造可提高快闪存储器元件中栅极耦合比及在操作快闪存储器元件时，可施加一较小控制栅极电压的方法及结构。(2)
技术介绍
非挥发性(Nonvolatile)快闪存储器元件，如可抹除且可编程只读存储器(EPROM)、可电除且可编程只读存储器(EEPROM)或快闪存储器，由于电源关闭后仍具储存数据能力，已被广泛使用及接受成为数据储存元件。一般来说，一快闪存储器元件除了其具有一堆叠栅极(stacked gate)结构外，它是非常类似于金属氧化物半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor，MOSFET)。在一快闪存储器元件中，一般以堆叠方式提供两栅极其中之一为储存电荷并由多晶硅所形成的浮置栅极(floating gate)；另一为用来控制信息存取的控制栅极。浮置栅极一般位于控制栅极之下并有一介电层(举例来说，氧化物/氮化物/氧化物绝缘堆叠结构)位于此两栅极之间。浮置栅极因经常处于浮置状态而无需连接至外部电路而得名，而控制栅极则需经常连接至一字元线(word 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造快闪存储器元件的方法，包括提供一半导体底材；形成一栅极氧化层于该半导体底材上；形成一第一半导体层于该栅极氧化层上；形成一绝缘层于该第一半导体层上；移除部份该绝缘层以暴露出部份该第一半导体层；形成一半导体间隙壁于该暴露出的第一半导体层上与该绝缘层上；移除部份该半导体间隙壁以暴露出该绝缘层；移除该绝缘层以暴露出该第一半导体层，其中该半导体间隙壁突出于该第一半导体层的表面上；形成一绝缘堆叠结构于该第一半导体层与该半导体间隙壁上；及形成一第二半导体层于该绝缘堆叠结构上。2.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，还包含以该绝缘层为一光罩，移除部份该第一半导体层。3.如权利要求2所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，还包含形成该半导体间隙壁于该第一半导体层的侧壁上。4.如权利要求2所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，上述第一半导体层的部份移除是以蚀刻进行。5.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，还包含以该绝缘层为一光罩，移除该第一半导体层，以暴露出该栅极氧化层。6.如权利要求5所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，还包含形成该半导体间隙壁于该栅极氧化层上。7.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，所述的半导体底材是由硅组成。8.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，所述的半导体间隙壁包含多晶硅。9.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，所述的第一半导体层包含多晶硅。10.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，所述的第二半导体层包含多晶硅。11.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于，所述的绝缘层包含氮化硅。12.如权利要求1所述的制造快闪存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文芳，徐尉伦，赵崇斌，林育贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：