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一种制造快闪存储器元件的方法，包括：　　　　提供一半导体底材；　　　　形成一栅极氧化层于该半导体底材上；　　　　形成一第一半导体层于该栅极氧化层上；　　　　形成一绝缘层于该第一半导体层上；　　　　移除部份该绝缘层以暴露出部份该第一半导体层；...
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