大功率半导体模块制造技术

可堆置的功率半导体模块，包括导电基板（２），导电盖板（３）和多个半导体芯片（１）。半导体芯片几个一组地被守排在预先装配的子模块中的单个基板上。基板（２）可朝盖板（３）移动。子模块在模块外壳内平行安排。子模块在模块完全可以按照它们的电流额定值测试。改变平行安排在外壳内的子模块数目可以改变模块的总的电流额定值。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及大功率半导体领域。它涉及如权利要求1的前序部分中所述的一种功率半导体模块。
技术介绍
集成栅双极晶体管(Integrated Gate Bipolar Transistror)(IGBT)技术在用于电力系统的应用，例如HVDC传输和电力质量管理的电压源变换器(VSC)中的推广应用达到了新的高度。目前，IGBT是这些应用的最好选择，因为它有如下的一些特点-低功率控制，因为它是MOS控制器件，例如当在高的电压电平(几百KV)上操作时是有利的。-晶体管操作，它能以闩锁替换方案(latching altematives)所不可能的方式精确地控制设备(例如即使在短路情况下变换器也可能被关断)。-高开关速度，因此能够使高的开关频率可行。虽然在电方面很适用，直到新的紧压包(press pack)技术被引入，IGBT才在这样的高功率、高分布(profile)应用中，达到它目前的状况。某些关键的封装方面被重新设计，因此使传统的晶闸管为基础的市电整流逆变器技术进展到以IGBT为基础的电压源技术。当前可得到的具有竞争力的IGBT紧压包封装是从传统的晶闸管，hockeypuck’封装改制的本文档来自技高网...

【技术保护点】
包括至少一个导电基板（２），一个导电盖板（３）和多个半导体芯片（１）的功率半导体模块，－所述半导体芯片（１）通过第一主电极电连接到基板（２），－所述半导体芯片通过第二主电极并经过柔性接触元件（６）被电连接到盖板（３），　 　－所述盖板（３）固定到柔性接触元件的压缩限制的刚性的外壳元件（４），所述盖板和刚性外壳元件形成模块外壳，其特征在于，－所述半导体芯片（１）几个一组地被安排在预先装配的、可全部测试的子模块中的分开的基板（２）上，并且 －基板（２）可朝盖板（３）相对移动。

【技术特征摘要】
EP 2001-6-1 01810539.51.包括至少一个导电基板(2)，一个导电盖板(3)和多个半导体芯片(1)的功率半导体模块，-所述半导体芯片(1)通过第一主电极电连接到基板(2)，-所述半导体芯片通过第二主电极并经过柔性接触元件(6)被电连接到盖板(3)，—所述盖板(3)固定到柔性接触元件的压缩限制的刚性的外壳元件(4)，所述盖板和刚性外壳元件形成模块外壳，其特征在于，-所述半导体芯片(1)几个一组地被安排在预先装配的、可全部测试的子模块中的分开的基板(2)上，并且-基板(2)可朝盖板(3)相对移动。2.权利要求1的功...

【专利技术属性】
技术研发人员：S考夫曼，T朗，E赫尔，M尼古拉，S格克尼迪斯，
申请(专利权)人：ABB瑞士有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]