半导体集成电路器件的制造方法技术

在装配半导体集成电路器件中，要改善生产率。提供了一种矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到制造半导体集成电路器件的方法，更确切地说是涉及到可有效地用于其中半导体芯片被键合到衬底的的技术。
技术介绍
在衬底与硅芯片之间的常规键合中，衬底被放置在衬底平台上，然后，多个硅芯片被安置在衬底上，并利用提供在衬底平台上的加热筒，通过衬底将热传导至硅芯片(例如见专利文献1以及是为对应于专利文献1的欧洲专利申请的专利文献2)。日本未经审查的专利公开No.2002-534799(图2)[专利文献2]EP 1030349A2(图2)根据利用倒装芯片连结的布线衬底与半导体芯片之间的键合，半导体芯片取自半导体晶片，然后以其主表面面向衬底的方式被放置在衬底上，然后用例如热压键合方法，芯片与衬底被键合在一起。因此，用来将半导体芯片传送到布线衬底上的机构，被放置在衬底上方。另一方面，由于传送机构被放置在衬底上，故难以将加热机构放置在布线衬底上，因此，加热机构被埋置到位于布线衬底下方的平台中。在这种结构中，若从平台侧面进行加热，则芯片-衬底键合部分通过布线衬底被加热，致使键合部分的温度不上升到令人满意的程度，从而引起不完美键合的问题。若为了得到键合部分足够的温度而将加热温度设定得高，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含下列步骤：（ａ）提供衬底；（ｂ）以各个主表面朝上的方式，将多个半导体芯片放置在平台上；（ｃ）将衬底放置在多个半导体芯片上；以及（ｄ）用热压键合方法，将多个半导体芯片一起 键合到衬底上。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-19 327046/20031.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含下列步骤(a)提供衬底；(b)以各个主表面朝上的方式，将多个半导体芯片放置在平台上；(c)将衬底放置在多个半导体芯片上；以及(d)用热压键合方法，将多个半导体芯片一起键合到衬底上。2.根据权利要求1的方法，其中，有机布线衬底被用作所述衬底。3.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含下列步骤(a)提供衬底；(b)将多个半导体芯片放置在平台上；(c)将衬底放置在多个半导体芯片的第一主表面侧上；以及(d)在用平台从芯片第二主表面侧加热半导体芯片的情况下，用多个加压块对应地对多个半导体芯片加压，多个加压块对应于各半导体芯片以独立可移动的方式被支持，从而将半导体芯片一起热压键合到衬底上。4.根据权利要求3的方法，其中，还从半导体芯片的第一主表面侧执行步骤(d)中的加热。5.根据权利要求3的方法，其中，不经过衬底而直接进行从半导体芯片的第二主表面侧的加热。6.根据权利要求3的方法，其中，衬底是有机布线衬底。7.根据权利要求6的方法，其中，从半导体芯片第二主表面侧加热的温度低于构成有机布线衬底主要部分的有机树脂的玻璃转变温度。8.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含下列步骤(a)提供衬底；(b)将多个半导体芯片放置在第一平台上；(c)将衬底放置在第一平台上的半导体芯片的第一主表面侧，并在从第一平台上的芯片的第二主表面侧加热半导体芯片的情况下，用热压键合方法彼此暂时键合半导体芯片与衬底；(d)在步骤(c)之后，将暂时键合的半导体芯片与衬底放置到...

【专利技术属性】
技术研发人员：牧浩，谷由贵夫，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，瑞萨东日本半导体公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]