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在装配半导体集成电路器件中,要改善生产率。提供了一种矩阵衬底,且半导体芯片被放置在第一加热平台上,然后,矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上,随后,在用第一加热平台直接加热芯片的情况下,用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键...该专利属于株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司授权不得商用。
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在装配半导体集成电路器件中,要改善生产率。提供了一种矩阵衬底,且半导体芯片被放置在第一加热平台上,然后,矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上,随后,在用第一加热平台直接加热芯片的情况下,用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键...